SMD(SO)/表面封装
2307
GE-N-FET锗N沟道
CC/恒流
APM/茂达
N沟道
结型(JFET)
增强型
类型：经销商
电话：
手机：13632854569
联系人：秦茂坚
地址：广东深圳中国 广东 深圳市 深圳市福田区中航路都会100大厦B座17E室
∟ 结型场效应管(15)
SI2307产品规格：
| 制造商: | Vishay |
| 产品种类: | MOSFET |
| 晶体管*性: | P-Channel |
| 汲*/源*击穿电压: | 30 V |
| 闸/源击穿电压: | /- 20 V |
| 漏*连续电流: | 2.7 A |
| 电阻汲*/源*RDS（导通）: | 0.88 Ohms |
| 配置: | Single |
| *大工作温度: | 150 C |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装/箱体: | TO-236-3 |
| 封装: | Reel |
| 下降时间: | 40 ns |
| *小工作温度: | - 55 C |
| 功率耗散: | 1.1 W |
| 上升时间: | 40 ns |
| 工厂包装数量: | 3000 |
| 典型关闭延迟时间: | 20 ns |
MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管），属于*缘栅型。
MOS场效应管主要特点：在金属栅*与沟道之间有一层二氧化硅*缘层，因此具有很高的输入电阻（*高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源*S接在一起。
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
