否
国产
F*226 SOT-323
放大
硅(Si)
NPN型
20(V)
100m(A)
150m(W)
4.5G(MHz)
外延型
贴片型
企业名:深圳市叁浩电子商行
类型:生产企业
电话:
联系人:陈浩繁
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 深圳市福田区华强电子世界三期3A175
F*226硅*频低噪声晶体管是一种基于N型外延层的晶体管,具有高功率增益、低躁声特性、大动态范围和理想的电流特性。*主要应用F*226主要用于VHF、UHF低电压低噪声放大器。*主要特性高增益:︱S21︱2典型值为9dB @f=1GHz、Vce=3V、Iceo=7mA低躁声: NF典型值为1.5dB @f=1GHz、Vce=3V、Iceo=7mA特征频率: fT典型值为4.5GHz @Vce=3V、Ic=7mA **限工作条件范围(T=25℃):集电*基*击穿电压VCBO 20 V集电*发射*击穿电压VCEO 12 V发射*基*击穿电压VEBO 3 V集电*电流IC 100 mA功耗PC 150 mW结温度Tj 150℃存储温度Tstg -65~ 150℃*HFE规格等级G R S标号R23 R24 R25 HFE 50-100 80- *电学特性(T=25℃)集电*基*击穿电压BVCBO 20V集电*基*漏电流ICBO 0.1 uA发射*基*电流IEBO 1.0 uA直流增益HFE 50-300特征频率fT 4.5 GHz输出反馈电容Cre 1.0 pF功率增
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