贴片型
BFG425W
硅(SI)
NXP/恩智浦
无线
P5
恩智浦
放大
类型：经销商
电话：
联系人：詹坚洪
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 新亚洲电子商城N2B093
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高频管 RF射频管
产品信息:
| VCEO | collector-emitter voltage | IB = 0 A | 4.5 | V | ||
| VCBO | collector-base voltage | IE = 0 A | 10 | V | ||
| IC | collector current | 30 | mA | |||
| Ptot | total power dissipation | Tsp ≤ 103 °C [0] | 135 | mW | ||
| hFE | DC current gain | VCE = 2 V; IC = 25 mA; Tj = 25 °C | 50 | 80 | 120 | |
| fT | transition frequency | VCE = 2 V; IC = 25 mA; f = 2000 MHz; Tamb = 25 °C | 25 | GHz | ||
| Gp(max) | maximum power gain | f = 2000 MHz; IC = 25 mA; VCE = 2 V; Tamb = 25 °C [1] | 20 | dB | ||
| NF | noise figure | IC = 2 mA; VCE = 2 V; f = 2000 MHz; ΓS = Γopt | 1.2 | dB | ||
| Cre | feedback capacitance | VCB = 2 V; f = 1 MHz; IC = 0 A | 0.095 | pF | ||
| IP3 | third-order intercept point | IC = 25 mA; VCE = 2 V; f = 2000 MHz; ZS = ZS(opt); ZL = ZL(opt) [2] | 22 | dBm |
产品规格书:
由于规格书页数比较多,未能详列,如有需要请联系客服.
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