BFR93A硅*频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于*频低噪声功率管主要应用于VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。


类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管 　　集电*-发射*电压VCEO：12V


集电*-基*电压VCBO:15V


发射*-基*电压VEBO:2V


集电*直流电流IC:35mA


总耗散功率(TA=25℃)Ptot:300mW


工作结温Tj:150℃


贮存温度Tstg:-65~150℃


封装形式：SOT-23


功率特性：*率


*性：NPN型


结构：扩散型


材料：硅(Si)


封装材料：塑料封装


电性能参数（TA=25℃）：


击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=15V,V(BR)EBO=2V


直流放大系数hFE: 40～250 @VCE=5V,IC=30mA


集电*-基*截止电流ICBO:100nA(*大值)


发射*-基*截止电流IEBO:100nA(*大值)


特征频率fT:6.0GHz@ VCE=5V,IC=30mA


集电*允许电流IC：0.1（A）


集电**大允许耗散功率PT：0.3（W）


功率增益GUM：13dB@IC=30mA,VCE=5V,f=1GHz


噪声系数NF：1.9dB@IC=30mA,VCE=5V,f=1GHz


反馈电容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=6V,f=1MHz。

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