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光星-*X钽电容能承受的电压和电流浪涌能力是有限的，这是基于*电解电容的共同属性，一个值够高的电应力会穿过电介质，从而破坏了介质。例如一个6伏的钽电容在额定电压运行时，有一个167千伏/毫米电压的电场。因此*要*整个电容器终端的电压的决不会*过规定的浪涌电压评级。作为钽电容负*板层使用的半导体二氧化锰有自愈能力。然而，这种低阻是有限的。在低阻*电路的情况下，电容器可能被浪涌电流击穿。降压的电容，增加了元件的*性。*X公司推荐降级表“（*19页）总结额定电压使用上常见的电压轨迹，低阻*钽电容在电路进行快速充电或放电时，保护电阻建议为1Ω/ V。如果达不到此要求应使用钽电容器降压系数*70％。在这种情况下，可能需要更高的电压比作为一个单一的电容。 A系列组合应被用来增*作电压的等效电容器：例如，两个22μF25V系列部分相当于一个11μF50V的一部分。

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