松下公司发布了散热特性较该公司原产品*28％的肖特基二*管（*D）“DB2P系列”（。可用于智能手机、和笔记本电脑机身电源电路部分。从2012年12月开始量产，月产量为300万个。国*电容
   　此次的开发品通过采用改进了引线封装（Lead package）形状的封装“PMCP（power mount CSP）”，在*散热性的同时实现了小型化。据称，通过优化了向电路基板的散热量和向空气中的散热量，兼顾了小型化和散热性。新产品“DB2P40100L”在使散热特性*28％的同时，使体积较该公司原产品“DB2J41100L”缩小了39％，并将厚度减薄53％。散热特性方面，开发品的接合温度为147℃（电流：1A，外部气温：25℃时），而原产品为203℃。外形尺寸为1.6mm×1.2mm×0.33mm。贴片钽电容

　　DB2P40100L的正向电压（VF）*0.39V（*大值，1A时）也是特点之一。二*管在电压逐渐上升并*过VF时，开始流过正向电流（IF）。钽电容 因此，VF以下的电压就损失掉了。通过降低VF，电源就能以低损失电压向产品供电。贴片电容     

    一般来说，元器件的封装尺寸和散热特性存在此消彼长的关系。小型封装品虽然可以*部件的安装密度，但因面积变小散热特性就会变差，因此*须采用降低部件安装密度等的散热设计。而拥有高散热特性的产品虽然可高密度安装，但为保持高散热特性，就需要扩大封装尺寸。因此，*终无论哪种情况都存在部件安装面积要*的课题。*X钽电容

　
　　此次的开发品与该公司原产品相比VF降低了33％。据称，是以150nm工艺规则的*技术形成*S构造而实现的。*S构造是指，在金属与半导体的接合部——肖特基结区域，以相等间隔形成微细的P型半导体，从而抑制肖特基结部产生的逆向漏电流的构造。

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