贴片电容性能测评，*先是贴片电容的常规电性能，即容量Cap.损耗DF，*缘电阻IR和耐电压DBV，一般地，X7R产品的损 耗值DF<=2.5%，越小越好，IR*Cap>500欧*法，BDV>2.5Ur.其次是贴片电容的加速寿命性能，在 125deg.c环境温度和2.5Ur直流负载条件下，芯片应能耐100小时不击穿，质量好的可耐1000小时不击穿。再次就是产品的耐热冲击性能，将电 容浸入300deg.c锡炉10秒，多做几粒，显微镜下观察是否有表面裂纹，然后可测试容量损耗并与热冲击前对比判别芯片是否内部裂纹。

贴片电容的主要特性参数：

(1)容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的*大偏差范围。一般使用的容量误差有：J级±5%，K级±10%，M级±20%。

精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。

常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D级—±0.5%;F级—±1%;G级—±2%;J级—±5%;K级—±10%;M级—±20%。

(2)额定工作电压：电容器在电路中能够长期稳定、*工作，所承受的*大直流电压，又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。

(3)温度系数：在*温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。温度系数越小越好。

(4)*缘电阻：用来表明漏电大小的。一般小容量的电容，*缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。贴片电解电容的*缘电阻一般较小。相对而言，*缘电阻越大越好，漏电也小。

(5)损耗：在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。

(6)频率特性：贴片电容的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电容器，由于介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加。另外，在高频工作时，贴片电容的分布参数，如*片电阻、引线和*片间的电阻、*片的自身电感、引线电感等，都会影响贴片电容的性能。所 有这些，使得贴片电容的使用频率受到限制。

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