三星电子公司成立于1969年，是*大的电子工业公司。2002年以来三星电子半导体取得了飞速发展，在世界半导体企业中高居第二位。从在单一家电类半导体产品基础上发展了许多新的半导体产品，逐渐成为**的半导体厂商。
贴片电容 全称：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。英文缩写：MLCC。
贴片电容的分类
一 NPO电容器
二 X7R电容器
三 Z5U电容器
四 Y5V电容器
区别：NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
NPO电容器
NPO是一种*常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它*氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗*稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
封 装 DC=50V DC=100V
0805 0.5---1000pF 0.5---820pF
1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF
---5600pF 560---2700pF
pF---0.033μF 1000pF---0.018μF
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
X7R电容器
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到 125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也*间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。
封 装 DC=50V DC=100V
pF---0.056μF 330pF---0.012μF
pF---0.15μF 1000pF---0.047μF
pF---0.22μF 1000pF---0.1μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF
Z5U电容器
Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里*先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和*。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有*大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率*大可达每10年下降5%。
尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（*L）和等效串联电阻（*R）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。
封 装 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF
1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF
Z5U电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围10℃ --- 85℃
温度特性 22% ---- -56%
介质损耗 *大 4%
Y5V电容器
Y5V电容器是一种有*温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达 22%到-82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出*4.7μF电容器。
Y5V电容器的取值范围如下表所示
封 装 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF
1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF
Y5V电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围 -30℃ --- 85℃
温度特性 22% ---- -82%
介质损耗 *大 5%
