产品参数：

 

 

　　型号：IS61C64AL-10JLI
　　品牌：issi
　　产品种类 SRAM
　　封装-箱体 SOJ
　　封装 Tube
　　工作电源电压 5 V
　　存储容量 64 Kbit
　　工作温度 + 85 C
　　工作温度 - 40 C
　　类型 Asynchronous
　　访问时间 10 ns
　　组织 8 K x 8
　　端口数量 Single
　　安装风格 SMD/SMT
　　工作电流 25 mA
　　接口 TTL

　　Async SRAM（Asynchronous Static RAM）
　　异步静态随机存储器
　　自从第一个带有二级高速缓存（cache）的386计算机出现以来，这种老型号的属于“cache RAM（缓存型随机存储器）”类型的内存就开始应用了。异步静态随机存储器（Async SRAM）比DRAM快些，并依赖于CPU的时钟，其存取速度有20纳秒、15纳秒和12纳秒三种，值越小，表示存取数据的速度越快。但在存取数据时，它还没有快到能够与CPU保持同步，CPU必须等待以匹配其速度。

 

 　　SRAM的基本单元有3种状态：standby （电路处于空闲）， reading （读）与writing （修改内容）。 SRAM的读或写模式必须分别具有“readability”（可读）与“write stability”（写稳定）。
　　Standby
　　如果字线没有被选为高电平， 那么作为控制用的M5与M6两个晶体管处于断路，把基本单元与位线隔离。由M1 – M4组成的两个反相器继续保持其状态，只要保持与高、低电平的连接。
　　Reading
　　假定存储的内容为1, 即在Q处的电平为高。 读周期之初，两根位线预充值为逻辑1, 随后字线WL充高电平，使得两个访问控制晶体管M5与M6通路。第二步是保存在Q与Q的值传递给位线BL在它预充的电位，而泻掉BL预充的值，这是通过M1与M5的通路直接连到低电平使其值为逻辑0 （即Q的高电平使得晶体管M1通路）。 在位线BL一侧，晶体管M4与M6通路，把位线连接到VDD所代表的逻辑1 （M4作为P沟道场效应管，由于栅极加了Q的低电平而M4通路）。 如果存储的内容为0, 相反的电路状态将会使BL为1而BL为0. 只需要BL与BL有一个很小的电位差，读取的放大电路将会辨识出哪根位线是1哪根是0. 敏感度越高，读取速度越快。
　　Writing
　　写周期之初，把要写入的状态加载到位线。如果要写入0,则设置BL为1且BL为0.随后字线WL加载为高电平，位线的状态被载入SRAM的基本单元。这是通过位线输入驱动被设计为比基本单元相对较弱的晶体管更为强壮，使得位线状态可以覆盖基本单元交叉耦合的反相器的以前的状态。

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