CGD1100A/1700V
国产
企业名:北京创源立晶科技有限责任公司
类型:生产企业
电话: 010-58499370
手机:13301287122
联系人:马宇翔
邮箱:2197788532@qq.com
地址:北京北京市北京朝阳区高碑店惠河南街盛世龙源文化创意园B座
产品名称:平板型IGBT CGD1100A/1700V PcS
产品关键词:● 封装和压装后的电气特性
● 包含反并联*二*管
● 增强型IGBT
产品参数: *大额定值(25℃)
集电*-发射*电压 VC*=1700(V)
栅*-发射*电压 VG*=±20(V)
集电*电流 IC=1100(A)
ICP=2200(A)
集电*耗散功率 PC=6216(W)
工作结温 Tj=-20~125℃
存储温度 Tstg=-40~125℃
( 注:*过*大额定值可能导致器件损坏)
电气特性(TC=125℃,*结壳热阻Rth)
栅*漏电流 IG*=±5(μA)
集电*-发射*截止电流 IC*=250(mA)
集电*-发射*饱和电压 VCE(sat)=6(V)
栅*-发射*阈值电压 VGE(th)=10(V)
开通时间 Ton=2.5μs
关断时间 Toff=3μs
平板型IGBT元件具有长期的高机械*性,它的高耐破损能力以及平板型结构的特点,可以较容易地用于串联装置中,而且与传统的GTO晶闸管相比,IGBT是电压驱动方式,故而使用方便,具有更大的*动作范围。
企业名:北京创源立晶科技有限责任公司
类型:生产企业
电话: 010-58499370
手机:13301287122
联系人:马宇翔
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