产品名称：平板型IGBT　CGF350/3300PFS
● 封装和压装后的电气特性
● 包含反并联快速恢复二极管
● 增强型IGBT
产品参数： 
额定值（25℃）
集电极-发射极电压 VGES=3300（V）
栅极-发射极电压 VCES=±20（V）
集电极电流 IC=350（A）ICP=700（A）
集电极耗散功率 PC=4500（W）
工作结温 Tj=－40~125℃
存储温度 Tstg=－40~125℃ 
注：超过额定值可能导致器件损坏
电气特性（TC＝125℃，不含结壳热阻Rth）
栅极漏电流 IGES=±5（μA）
集电极-发射极截止电流 ICES=200（mA）
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)=6.5(V)
栅极-发射极阈值电压 VGE(th)=6.0(V)
开通时间 Ton=1.5μs
关断时间 Toff=4.5μs
二极管正向压降 VF= 3.5V
二极管反向恢复时间 Trr= 1.0μs
平板型IGBT元件具有长期的高机械可靠性，它的高耐破损能力以及平板型结构的特点，可以较容易地用于串联装置中，而且与传统的GTO晶闸管相比，IGBT是电压驱动方式，故而使用方便，具有更大的安全动作范围。

企业名：北京创源立晶科技有限责任公司

类型：生产企业

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