ZQC
BT137/600E
双向
三*
塑料封装
平板形
普通
不带散热片
中频
*率
23（A）
34（mA）
13（A）
34（V）
1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。 当阳*A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制*G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电*电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电*直接与BG1的基*相连，所以ib1=ic。 2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电*电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基*，表成正反馈，使ib2不断*，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。 由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制*G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要*的条件才能转化，条件如下： A、从关断到导通1、阳*电位高于是阴*电位，2、控制*有*的正向电压和电流，两者*。 B、维持导通1、阳*电位高于阴*电位，2、阳*电流大于维持电流，两者*。 C、从导通到关断1、阳*电位低于阴*电位，2、阳*电流小于维持电流，任一条件即可。 触发导通 在控制*G上加入正向电压时因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。
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生产陶瓷电容、安规电容、色环电感;各类电子元器件;
