ROHM确立了SiC元件的*生产体系
低驱动电压，*率的SiC肖特基势垒二*管开始量产！
2010.05.10
半导体制造商ROHM 株式会社（总部设在京都），*近开始了肖特基势垒二*管（*D）“SCS110A 系列”
的量产，本系列产品采用了因低功耗、高耐压而有望成为下一代功率元件材料的SiC（Silicon carbide：碳
化硅）。“SCS110A 系列”产品与其他公司已经量产的SiC-*D 相比，在正向电压和动作时阻*等特性上有
很大的*，可以广泛应用于电动汽车/混合动力车等进行电源转换的变压器、转换器、PFC 电路（功率因
数校正电路）等领域和其他可能的领域。
本系列新产品已在2010年4月下旬开始量产和销售，我们将视市场需求情况逐步扩大生产。生产基地定于晶
圆在SiCrystal 公司（德国埃尔兰根市）制造，前期工序在ROHM Apollo Device Co.,Ltd.（福冈县），后期工
序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰国）进行。
*近，在电力电子技术领域，电源转换时半导体元件所带来的功耗已成为一个问题，从*角度出发，行
业也在以进一步降低功耗为目标，不断进行材料特性比硅材料更*的SiC 功率元件的开发研究。在这种
趋势下，2004年ROHM *采用SiC 成功试制出MOSFET 产品，并成功试制出采用了*D 和这些元件的
功率模块，在行业中*先推进了SiC 元件/模块的研究和开发。SiC-*D 从2005年开始销售工程样品，结合
客户的反馈，我们不断努力**性和*生产性。此外，为了**的SiC 晶圆，ROHM 收购了
德国SiCrystal 公司，以建立SiC 元件的*生产体系。
本次开始量产的“SCS110A 系列”产品的反向恢复时间（trr）是15nsec，与以往的硅材料*二*管
（35nsec 50nsec）相比大幅缩短，恢复过程中的损失减少到约三分之一。因此，变压器、转换器、PFC 电
路中如果采用本系列产品，可以大大降低损耗，从而减少发热量。此外，相比硅材料*二*管（FRD），
由于其温度变化时的特性变化*小，散热片小型化等可望效果显著。另外，和以往的SiC-*D 相比较，具
有反向恢复时间显著*、芯片尺寸减小15％左右等优势。
本系列产品的量产，解决了肖特基势垒的均一性、高温处理中形成不*要的高*保护环层等SiC 元件的课
题，并且确立了*生产体制。
另外，本系列产品与已经量产的以往SiC-*D 产品相比，工作时阻*更小、正向电压更低（VF = 1.5V（标
称值）10A 时），温度特性得到*，实现了比以往产品都高的效率。
ROHM 将SiC 元件业务视为下一代半导体业务的*技术之一，今后将继续推进*D 的进一步高耐压化，
强化大电流产品阵容，扩展搭载MOSFET 和SiC 元件的IPM（智能功率模块）等SiC 相关产品阵容并实
现量产化。