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射频功率晶体管

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源头工厂
  • 型号/规格:

    MAPR-000912-500S00

  • 品牌/商标:

    M/A-COM

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • VCEO::

    35V

  • VEBO:

    4V

  • Pd-功率耗散:

    70W

  • 工作频率:

    30 MHz

  • 系列:

    M/A-COM代理

  • 品牌:

    M/A-COM

  • 型号:

    DU28120V

  • 类型:

    射频IC

  • 用途:

    军工

  • 封装:

    90

  • 特色服务:

    提供BOM配单服务

  • 应用领域:

    军工/航天,安防设备,广电教育,测量仪器,医疗电子,网络通信

  • 型号/规格:

    NPT1004

  • 品牌/商标:

    Nitronex

NPTB00004 应用:通用,宽带驱动电路,军事,低噪音放大器。 NPTB00025 应用:一般应用,军事通信,商用无线应用。 NPT1004 应用:通用,宽带驱动电路,军事。 NPT1007 应用:一般应用,军事通信,L波段雷达,航空用...

  • 麦尔集团有限公司

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:
  • 地区:广东深圳
  • 电话:0755-88266573

    手机:

  • 封装形式:

    SOT223

  • 型号/规格:

    THN5601B-11

  • 品牌/商标:

    AUK

  • 材料:

    硅(Si)

  • 应用范围:

    放大

    品牌:国产 型号:3DA22B 封装形式:功率型 封装材料:金属封装 结构:外延型 应用范围:放大3DA22A、3DA22B 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面*频大功率三*管。等级标记:Ⅱ类主要用途:用于*频功率放大、振荡及其它电子设...

    • 产品性质:

      *

    • 封装形式:

      贴片型

    • 处理信号:

      数字信号

    • 型号/规格:

      THN5601B

    • 材料:

      锗(Ge)

    • 品牌/商标:

      TACH

    • 封装:

      SOT223

    • 应用范围:

      功率

      品牌:国产 型号:3DA56B 类别:直插 封装形式:H-2 应用范围:功率主要用于脉冲电路,无触点开关等厂价销售,*原装,现货供应可提供民、工、*等可以提供不同产品控制*触发电流IGT可以提供供不同放大倍数

        品牌:M/A-COM 型号:MRF166W 批号:1007+ 封装:TO-62 营销方式:现货 产品性质:新品 处理信号:数字信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:*规模 规格尺寸:0.12*0.45(mm) 工作温度:-40~125(℃) 静态功耗...

          品牌:FRE*CALE 型号:MRFG35030 批号:09+ 封装:金属 营销方式:库存 产品性质:* 处理信号:模拟信号 制作工艺:半导体集成 集成程度:中规模 工作温度:-40~85(℃)浩时健电子公司总部位于香港。作为的微波射频器件/模块...

          • 是否提供加工定制:

          • 品牌/商标:

            Mitsubishi/三菱

          • 型号/规格:

            2SC1970

          • 应用范围:

            功率

          • 材料:

            硅(Si)

          • 极性:

            NPN型

          • 击穿电压VCBO:

            -(V)

          • 集电极允许电流ICM:

            -(A)

          射频功率晶体管行业资讯

          • 埃赋隆推出400W坚固耐用的Doherty射频功率晶体管,据此扩展LDMOS基站和多载波产品线

            埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出BLC10G27XS-400AVT400W非对称Doherty射频功率晶体管。此Doherty晶体管专为在2.496GHz至2.690GHz频率范围内工作的基站多载波应用而设计,其采用了埃赋隆备受业界推崇的第9代28VLDMOS工艺技术。该Doherty晶体管采用气腔塑料...

          • 恩智浦1500 kW射频功率晶体管树立新标杆

            恩智浦半导体日前宣布推出MRF1K50H射频晶体管,与采用任何技术或在任何频率下的产品相比,都具有最强大的性能。MRF1K50H可在50V电压下提供1.50kWCW功率,能够减少高功率射频放大器中的晶体管数量,从而减小放大器尺寸并降低物料成本。MR

          • ST推出新系列射频功率晶体管

            近日消息,据外媒报道,意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出新系列射频(RF)功率晶体管。新系列产品采用先进技术,为政府通信、用于紧急救援的专用移动无线电系统以及L波段卫星上行设备等要求苛刻的重要应用领域提高无线通信系统的

          • 恩智浦正式发布超高频(UHF)射频功率晶体管

            恩智浦半导体NXPSemiconductorsN.V.今天宣布推出广播发射机和工业用600WLDMOS超高频(UHF)射频功率晶体管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市场上功能最强大的LDMOS广播发射机晶体管,支持470-860MHz完整

          • 英飞凌发布用于700MHz频段的全新射频功率晶体管系列

            英飞凌(Infineon)在近期举行的IEEEMTT-S国际微波研讨会上,发布了专门面向700MHz频段无线基础设施应用的全新射频功率晶体管系列。该频段在美国将用于承载4G(第四代)蜂窝、移动电视广播和其他移动宽带服务,其中包括LTE(长期演进)和

          电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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