您现在的位置:首页 > 元器件(最新) >

英飞凌MOS管

(共找到“16”条查询结果)
所在地区
广东
浙江
新疆
河北
内蒙古
山西
吉林
黑龙江
江苏
辽宁
安徽
福建
江西
山东
河南
湖北
湖南
广西
海南
贵州
云南
西藏
四川
青海
陕西
甘肃
宁夏
台湾
澳门
香港
源头工厂
  • 型号/规格:

    SPA11N60C3

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 型号/规格:

    IRFS3607TRLPBF

  • 品牌/商标:

    Infineon Technologies

  • 封装形式:

    TO-263

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    SPA11N60C3

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 夹断电压:

    650(V)

  • 型号/规格:

    SPW47N60C3

  • 品牌/商标:

    英飞凌

大小:243.6KB 厂家:INFINEON [Infineon Technologies AG] 描述:Cool MOS™ Power Transistor 数据列表:SPW47N60C3 产品培训模块:CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters 标准...

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    20N60C3

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 品牌/商标:

    Siemens/西门子

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/型号:

    INFINEON/英飞凌/SPD06N80C3

  • 种类:

    *缘栅MOSFET

  • 用途:

    HI-IMP/高输入阻*

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 开启电压:

    5(V)

  • 夹断电压:

    5(V)

  • 跨导:

    5(μS)

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    SPW35N60C3

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    SPA11N80C3

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 陈徐东

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 手机:15322589370

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    47N60C3

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 是否提供加工定制:

  • 产品类型:

    整流管

  • 是否*:

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    IPB60R165CPIPP11N60C3、IPP075N15N、IPP20N60C3

  • 材料:

    硅(Si)

  • 主要参数:

    100

  • 用途:

    90瓦电源

  • 型号/规格:

    SPW47N60C3

  • 品牌/商标:

    英飞凌INFINEON

  • 封装形式:

    240PCS/盒

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    SGB02N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 郭伟健

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产加工
  • 地区:广东深圳
  • 电话:0755-83251819

  • 漏*电流:

    其他

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 型号/规格:

    IPA60R380C6

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 用途:

    AM/调幅

  • 沟道类型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物

  • 朱銮娥

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:0755-82539132

    品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 SPW35N60C3 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 D/变频换流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600(V) 夹断电压 600(V) 跨导 10...

    • 品牌/商标:

      INFINEON/英飞凌

    • 型号/规格:

      IKW40T120

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 封装外形:

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 型号/规格:

      SPP11N60C3

    • 品牌/商标:

      infineon

    • 封装形式:

      TO220

    • *类别:

      无铅*型

    • 安装方式:

      直插式

    • 包装方式:

      盒带编带包装

    • 功率特性:

      大功率

    • 频率特性:

      *频

    电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

    在采购英飞凌MOS管进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

    免责声明:以上所展示的英飞凌MOS管信息由会员自行提供,英飞凌MOS管内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

    友情提醒:为规避购买英飞凌MOS管产品风险,建议您在购买英飞凌MOS管相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"DZSC委托交易服务",买卖都安全。