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SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用,能实现更高能效和更佳性能 智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31 智能功率模块...
IPM29- SiC_MOS智能功率模块新产品内部集成了新一代N沟道增强型1200V-SiC_MOSFET芯片与与优化的SOI工艺6通道栅极驱动芯片,作为紧凑的1200V等级封装,这款SiC MOSFET IPM使用简便,针对SIC定制优化驱动部分,有效减小开关振荡。此外,它采用紧凑式封装,得益...
智能功率模块采用芯能新一代自研驱动IC和IGBT芯片,优化内部布局与引脚分布,是包括空调压缩机、变频洗衣机、变频烟机和工业驱动器等先进家电/工业电机驱动应用的理想选择。 新产品采用了框架+DBC的散热结构,模块体积小、保护功能齐全、功率密度高、散热...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出了IM523系列高效智能功率模块(IPM),进一步壮大其CIPOS?Mini家族的产品阵容。该系列智能功率模块采用了全新的600V逆导型驱动器2(RCD2)IGBT技术,并且带有开放式发射极。CIPOSIM523系列智能功率模...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出了IM523系列高效智能功率模块(IPM),进一步壮大其CIPOSMini家族的产品阵容。该系列智能功率模块采用了全新的600V逆导型驱动器2(RCD2)IGBT技术,并且带有开放式发射极。CIPOSIM523系列智能功率模...
当前,新型快速开关的碳化硅(SiC)功率晶体管主要以分立器件或裸芯片的形式被广泛供应,SiC器件的一系列特性,如高阻断电压、低导通电阻、高开关速度和耐高温性能,使系统工程师能够在电机驱动控制器和电池充电器的尺寸、重量控制和效率提升等方面取得显著进展,同时推动SiC器件的价格持续...
当前,新型快速开关的碳化硅(SiC)功率晶体管主要以分立器件或裸芯片的形式被广泛供应,SiC器件的一系列特性,如高阻断电压、低导通电阻、高开关速度和耐高温性能,使系统工程师能够在电机驱动控制器和电池充电器的尺寸、重量控制和效率提升等方面取得显著进展,同时推动SiC器件的价格持续下...
各行业所需高温半导体解决方案的CISSOID今日宣布,将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战,并推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块(IPM)平台。这项新的智能功率模块技术提供了一种一体化解决方案,即整合了内置栅极驱动器的三相水冷式碳化硅MOSFET模块。 这个全新的...