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增强型MOS管

(共找到“52”条查询结果)
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源头工厂
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  • 型号/规格:

    KF4410

  • 品牌/商标:

    KF

  • 封装:

    SOP-8

  • 批号:

    全新原装

  • 价格:

    0.50/个

  • 数量:

    3000

  • 型号/规格:

    NCE4953A

  • 品牌/商标:

    NCE新洁能

  • 封装形式:

    SOP-8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 品牌/商标:

    MD

  • 型号/规格:

    4953

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 类型:

    其他IC

  • 型号/规格:

    FDS7766

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    3SK195

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 范映惠

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产加工
  • 地区:广东深圳
  • 电话:86 755 83044959

    手机:13530840477

    品牌/商标 美国IR 型号/规格 IRF3205 *原装墨西哥产地 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/*组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 50(V)

      品牌/商标 Vishay 型号/规格 si2301 sot-23 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 0.65(V) 夹断电压 20(V) 低频噪声系数 1(dB) 漏*电流 ...

      • 陈昭辉

      • 供应商等级: 免费会员
      • 企业类型:经销商
      • 地区:广东深圳
      • 电话:86 755 61667506

        手机:15814418900

        品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFZ44S 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CHIP/小型片状 型号:IRFZ44S 封装:to-263厂家:IR 参数:50A,60V,180W备注:专营*...

          品牌/商标 SILICON 型号/规格 SI4966DY 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 专营MOS管现货!以价出售,长期供货!深圳市东芯源电子商行起业于1999年,地处华强商业贸易圈,在华强,塞格都设有商铺,是十...

          • 洪继发

          • 供应商等级: 免费会员
          • 企业类型:经销商
          • 地区:广东深圳
          • 电话:86 755 82544439

            手机:13798249491

            品牌/商标 SAM韩国三星 型号/规格 6N60 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 UNI/一般用途 封装外形 SP/*外形 材料 IGBT*缘栅比* 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 0(μS)...

            • 许梓炫

            • 供应商等级: 免费会员
            • 企业类型:经销商
            • 地区:广东汕头
            • 电话:86 0754 13726500272

              手机:13726500272

            • 品牌:

              ST意法半导体

            • 型号:

              STP65NF06

            品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP65NF06 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 TR/激励、驱动 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 *肖特基势垒栅 开启电压 咨询(V) 夹断电压 咨询(V) 跨导 ...

              品牌/商标 AO 型号/规格 AO3401 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-ARR/陈列组件 封装外形 CHIP/小型片状 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 0(μS...

                品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF3205PBF 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/*组件 封装外形 SP/*外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 5(V) 夹断电压 5(V) 低频跨导 5...

                • 品牌:

                  SAM韩国三星

                • 型号:

                  WFP4N60

                品牌/商标 SAM韩国三星 型号/规格 WFP4N60 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 /(V) 夹断电压 /(V) 跨导 /(μ...

                • 邓建荣(个体经营)

                • 供应商等级: 免费会员
                • 企业类型:经销商
                • 地区:广东汕头
                • 电话:86 0754 86674799

                  手机:15089115399

                • 品牌:

                  IR美国国际整流器公司

                • 型号:

                  IRFBG30PBF

                品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFBG30PBF 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 VA/场输出级 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 1000(V) 夹断电压 500(V...

                • 彭志毫

                • 供应商等级: 免费会员
                • 企业类型:经销商
                • 地区:广东深圳
                • 电话:86 0755 82719303

                  手机:13760241411

                  品牌/商标 FSC 型号/规格 FDH44N50 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 现货,欢迎来电咨询场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流...

                    品牌/商标 IR 型号/规格 IRFP23N50L 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 详见祥数(V) 夹断电压 详见祥数(V) 低频跨导 详见祥数(μS)...

                    • 蔡丹萍

                    • 供应商等级: 免费会员
                    • 企业类型:经销商
                    • 地区:广东深圳
                    • 电话:86 0755 82762780

                      手机:13724333541

                    • 封装外形:

                      P-DIT/塑料双列直插

                    • 型号/规格:

                      BF92N60

                    • 材料:

                      N-FET硅N沟道

                    • 用途:

                      SW-REG/开关电源

                    • 品牌/商标:

                      比亚迪

                    • 沟道类型:

                      N沟道

                    • 种类:

                      *缘栅(MOSFET)

                    • 导电方式:

                      耗尽型

                      品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRL3705NS 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-FBM/全桥组件 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) *...

                      电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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