Hitachi/日立
J162 K1058
结型(JFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:
MAT
2*695
结型(JFET)
N沟道
增强型
MW/微波
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:13480661151
TOSHIBA/东芝
2SK1529
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
手机:
SMD(SO)/表面封装
A1306 C3298
N-FET硅N沟道
A/宽频带放大
TOSHIBA/东芝
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机:15626790473
SANYO/三洋
2SD1047/2*817 SD1047/B817
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-HBM/半桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:
AEG美国AEG
2SK176/2SJ56
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
CC/恒流
CER-DIP/陶瓷直插
GaAS-FET砷化镓
手机:
MOT美国摩托罗拉
MJE2955 MJE3055
结型(JFET)
N沟道
增强型
NF/音频(低频)
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:
是
TOSHIBA/东芝
2SA1301 2SC3280
功率
硅(Si)
N/P型
点接触型
直插型
手机:
否
TOSHIBA/东芝
D1047/B817
功率
硅(Si)
NPN型
12(V)
0(A)
手机:
是
*/如图所示
MJ15003 ( MJ15004 ) TO-3 NPN 大功率配对管
功率
其他
N/P型
请咨询(V)
请咨询(A)
手机:
TO-247-3
TIP3055
硅(Si)
ST/意法
功率
手机:13480836474
TOSHIBA/东芝
TTC5200 TTA1943
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
手机:15322589370
否
TOSHIBA/东芝
2SC5200/2SA1943
振荡
硅(Si)
NPN型
标准(V)
标准(A)
手机:
是
*
MJ11015 MJ11016
达林顿
硅(Si)
NPN型
30(A)
1(W)
手机:13421893684
咨询客服(nm)
咨询客服(mm)
固体
远红外
发光二*管
否
850NM、860NM、880NM、940NM、950NM
Everlight/亿光 三星 UNI OSRAM
手机:
激光管
富亮
IR313C,PT313-3B,PD313-3B
点接触型
砷化镓(GaAs)
直插型
树脂封装
小功率
手机:
否
TOSHIBA/东芝
2SA1302
功率
硅(Si)
NPN型
,(V)
,(A)
手机:
TOSHIBA/东芝
2SA1964/C5248
功率
*率
平面型
TO-220F
表面封装
现货
手机:
TO-220F
A2098 C6082
SANYO/三洋
硅(Si)
开关
手机:15626790473
TO-220
C2073/A940
硅(Si)
FAIRCHILD/*童
功率
手机:
网易科技讯6月14日消息,据彭博社报道,惠普公司今日宣布,为了促进业绩增长对管理层进行调整,其中包括执行副总裁安·利弗莫尔(AnnLivermore)将加入董事会,而另外三个面向消费者部门的执行副总裁将直接向首席执行官李艾科(LéoApotheke
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