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SE3455/5455
美国Honeywell
红外发射二极管SE3455/5455详细介绍: 简介:工作温度-55℃——+125℃,输出波长分别是935和880nm,射线角20o,输出功率有2.00、3.50、4.80、5.40mW等。 同一系列的其他产品参数对比如下: 型号 输出功率(mW) 正向电...
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OP133
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OP133发射二极管 OP133光电传感器 OP133深圳现货销售 产品特点: TO-46的密封包装 聚集和非聚集的光学光模式 增强的温度范围 机械和光谱匹配其他设备OPTEK 功率范围的选择 窄或宽的辐射模式的选择 描述: 每OP130 系...
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EL-1KL3
KODENSHI
供应:EL-1KL3砷化镓红外线发射二极管 940nm TO-46 GaAs Hermetic Infrared Emitting Diodes Types 产品种类: 红外发射源 參數 說明 描述Description 紅外線發射二極體 功率额定值Po (mW) 170 电压Vf@lf(mA) 1.7V/100...
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欧司朗光电半导体公司(OsramOptoSemiconductors)将薄膜技术用于红外元件,开发出代850nm红外发射二极管(IRED),在正常芯片尺寸下,该器件的总功率达到50mW,正向电流达到100mA。薄膜芯片可通过芯片顶部发射由器件内
半导体光发射二极管本质上就是一个pn结二极管,但各种发光二极管的具体结构却不尽相同。图给出了几种发光二极管的基本结构。 这些发光二极管的有源层通常是在体材料上形成的。尽管用于显示应用的LED都是发射可见光的,但是其结构却多种多样。pn结构的同质结发光二极管与异质结一样能发射...
半导体发光二极管以其优越的性能弥补了半导体激光器的不足囵,其主要特性为:(1)无阈值特性,在很低电流下就可以实现有效发光;(2)P-I特性好,容易进行信号调制,但是调制速率较低;(3)热稳定性好,输出功率随温度的变化较小;(4)工作寿命长,可靠性高