C11287传感器驱动电路板
日本滨松
5V
12640.0
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ICX255AK
Sony/索尼
16+
dip
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行扫描CCD图像传感器(250nm-1000nm)
HONEYWELL(霍尼韦尔)
行扫描CCD图像传感器(250nm-1000nm) 产品规格: RL1024P、RL2048P 产品介绍: 商运达公司提供的P系列行扫描图像传感器,理想地应用于输送带上运动目标的成像。应用范围从引线框和标签检查到邮件包裹扫描。P系列行扫描...
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金属
光电
否
1
半导体
CV-5000系列
多晶
1(%F.S.)
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ICX413AQ
SONY
凯利达电子器件经营部主要经营有TOSHIBA、SONY、NEC等公司的CCD图像传感器产品。 TOSHIBA公司主要线阵CCD产品型号: TCD103D、TCD132D、TCD1251UD、TCD1501D、TCD1703C、TCD1500C、TCD1200D、TCD1208P、TCD1209D、TC...
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型号:HCMS-2000 HCMS-2002 HCMS-2003 HD637B01YOC HDCS-1020 HDSP-0760 HDSP-0762 HDSP-076 厂家:HP,SONY,THOSIBA 批号:01 封装:CCDHCMS-2000 HCMS-2002 HCMS-2003 HD637B01YOC HDCS-1020 HDSP-0760 HDSP-0762 HDS...
电话:0755-83986776
品牌:TOSHIBA 型号:TCD105C 批号:04+ 封装:CDIP 营销方式:* 产品性质:* 处理信号:数字信号 制作工艺:膜集成 导电类型:双*型 集成程度:小规模 工作温度:-40~85(℃)汕头市辉煌电子厂是一家的电子元器件供应商,具有...
电话:754-84478285
电话:0754-82333581
品牌:群谚科技 像素:470000(dpi) 型号:QY-2783SCM 类型:红外灯摄像机 图像传感器:高感1/3 COLOR CCD图像传感器 水平清晰度:480 照度:0Lux/F1.2 (红外灯开启)(Lux) 分辨率:PAL:795(H)×596(V) ...
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品牌:SONY 型号:CXD3400N 批号:09+ 封装:SSOP20 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:模拟信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:小规模 规格尺寸:5(mm) 工作温度:-40~125(℃) 静态功耗:5(mW)供应...
电话:0755-82566070
ICX205AK,ICX205AL
SONY
我们公司长期代理分销各*的CCD传感器,器件广泛用于如数码相机,数码摄像机的成像系统和数字图像系统项目。主要品牌有SONY,KODAK,Thomson等。*器件无论在价格,质量及货期都有很大优势,并人员的技术支持。这也是我...
电话:0755-82225736
价格:面议 品牌:A1PROS 产地:韩国 型号:AI329 数量:10000 代理A1 PROs(LG)-攝像机CCD图像传感器 型号规格如下: 黑白 NTS制1/3:Ai325/ Ai 5412/ Ai 4402/ Ai 1001S 4件套 PAL制1/3:Ai329/ Ai 5412/ Ai 4402/ Ai 1001...
电话:0755-82130160
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2016年7月12日-推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),采用提升CCD图像传感器的近红外灵敏度的技术,增强在严格要求的工业应用中的成像性能。800万像素(MP)KAI-08052图像传感器是
推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出世界上分辨率的行间转移CCD器件KAI-47051图像传感器,为严格的工业检测和测绘应用中获得性能和能效的新水平。这4700万像素(MP)KAI-4
推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor)推出新类的电荷耦合器件(CCD)图像传感器技术,为工业市场的微光成像树立新的基准。这新技术结合安森美半导体业界的行间转移(InterlineTransfer,IT)CCD像素设计及新
2014年7月15日–推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)以新技术增强最近收购TruesenseImaging的电荷耦合器件(CCD)图像传感器阵容,提升工业应用的成像性能。新的KAI-08
Kodak推出KAF-50100据称为是世界上首款50-Mpixel的CCD图像传感器,用于摄影,具有全新设计的6.0-μm像素,比目前产品这一市场中的产品所用像素都小。使用这一成像器,空旷环境1.5英里的航空照片能够显示1x1-ft物体。
CCD(Charge Coupled Device)图像传感器由CCD电荷耦合器件制成,是固态图像传感器 的一种,是贝尔实验室的W.S.Boyle和G.E.Smith于1969年发明的新型半导体传感器。它是在MOS集成电路的基础上发展起来的,能进行图像信息的光电转换、存储、延时和按顺序传送。它...
在本系列的前面部分,我们介绍了图像传感器技术的基础知识(从光子到电子),这开启了我们对三种 CCD 图像传感器架构的讨论:全帧、行间传输和帧传输。然后我们回顾了CCD 图像传感器的基本结构和操作特性。 本讨论的下一步是了解 CCD 图像传感器的动态范围...
CCD 传感器中的暗噪声,它是由传感器的半导体材料产生的暗电流变化引起的。这是 CCD 应用中的一个重要噪声源,它对系统设计有直接影响,因为它可以通过冷却传感器得到有效控制。在本文中,我们将讨论影响 CCD 图像质量(或缺乏图像质量)的另外两个主要因素:光子噪声和读取噪声。我们还将简...