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射频放大器

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源头工厂
  • 型号/规格:

    HMC661LC4B

  • 品牌/商标:

    ADI

  • 封装:

    QFN-EP-24

  • 批号:

    19+

  • 数量:

    25630

  • 型号/规格:

    CMPA5585025F

  • 品牌/商标:

    CREE

CMPA5585025F是8.5GHZ MMIC功率放大器 CMPA5585025F主要参数特性如下: 1.主要频率:5.5GHZ~8.5GHZ 2.增益:22dB 3.测试频率:8.4GHZ Datasheets CMPA5585025F Product Photos CMPA5585025F Category RF/IF and RFID...

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 型号/规格:

    3SK222

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 类型:

    其他IC

  • 品牌/商标:

    REN*AS/瑞萨

  • 型号/规格:

    3SK318

  • 批号:

    12+新货

  • 封装形式:

    SOT-343

  • 应用范围:

    放大

    品牌:NEC(日本) 型号:2SK177-T1B 种类:高频头 标称频率:1K(MHz) 调整频差:1(MHz) 温度频差:900(MHz) 总频差:900(MHz) 负载电容:1000(pF) 负载谐振电阻:47(Ω) 激励电平:200(mW) 基准温...

      品牌:NEC 型号:3SK224-T2 封装:SOT-143 批号:00+ 类型:放大器射频放大器,*频电视调谐器N沟道硅双栅MOS场效应晶体管特征•低噪声系数:系数NF =1.8分贝典型值。(六= 900兆赫)•高功率增益...

      • 品牌/商标:

        Hitachi/日立

      • 型号/规格:

        BB504MDS

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 用途:

        HF/高频(射频)放大

      • 封装外形:

        SMD(SO)/表面封装

      • 材料:

        N-FET硅N沟道

        品牌:安泰信 型号:AT2000 产品用途:信号放大安泰信AT2000射频放大器 概述 随着无线信号的频率越来越高,所发射信号功率*小,用在检测、接受、发射等方面都是**相应的效果,使用AT-2000频率放大器,至少将信号放大20...

          类型:射频放大器 品牌:安泰信 型号:AT2000射频放大器 覆盖频率:参考资料(MHz) 显示方式:参考资料 外形尺寸:210×207×85(L×W×H)㎜(mm) 重量:2㎏(kg) ...

            类型:频率信号发生器 品牌:安泰信 型号:AT-2000AT-2000射频放大器射频放大器概述 随着无线电信号的频率越来越高,所发射信号功率*少,用在检测、接受、发射等方面都是**相应的郊果,使用AT-2000频率放大器,至少将信号...

              品牌/商标 JRC 型号/规格 NJG1711KC1-TE3 封装 FLP-10-C1 批号 10+ 类型 放大器

                品牌:TOS日本东芝 型号:3SK199 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:TV/电视 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:标准(V) 夹断电压:标准(V) 低频跨导:标准(μS...

                • 赵瑞霞

                • 供应商等级: 免费会员
                • 企业类型:经销商
                • 地区:广东深圳
                • 电话:0755-29021052

                  品牌/商标 TRIQUINT 型号/规格 TQ5131-2.8V 种类 混频器 *损耗 7.0(dB) 阻带衰减 5.0(dB) 输入阻* SOT23-8(kΩ)

                  • 品牌/商标:

                    REN*AS/瑞萨

                  • 型号/规格:

                    TBB1002

                  • 种类:

                    *缘栅(MOSFET)

                  • 沟道类型:

                    N沟道

                  • 导电方式:

                    增强型

                  • 封装外形:

                    CHIP/小型片状

                  • 材料:

                    N-FET硅N沟道

                  • 开启电压:

                    1(V)

                  • 颜少华

                  • 供应商等级: 免费会员
                  • 企业类型:经销商
                  • 地区:广东深圳
                  • 电话:0755-23815756

                  射频放大器技术资料

                  • 射频放大器的稳定性因素和稳定技术

                    确保稳定性是射频放大器设计的关键要求——使用不正确的源和负载终端可能会导致高频放大器振荡。然而,正如之前的文章教导我们的那样,我们可以使用稳定性圆和史密斯圆图来找到源和负载反射系数的可行值。  还有一些常见的稳定性测试,比如K因子和μ因子稳...

                  • 使用工作功率增益设计双边射频放大器

                    本系列的前两篇文章分别介绍了如何设计单边放大器以获得指定增益以及如何设计双边放大器以获得最大增益。在这两种情况下,我们在计算中都使用了传感器功率增益定义。然而,在设计增益不是最大值的双边放大器时,这种功率增益定义并不是很有帮助。对于这个设计...

                  • 射频放大器设计中的无条件稳定性和潜在不稳定性

                    为什么我们需要稳定性分析  在高频下,不可避免的寄生效应很容易使电路振荡。例如,不良的接地方案可能会导致多级放大器的不同级之间发生耦合并导致不稳定。  此外,射频信号链中的某些电路可能没有明确定义的源或负载阻抗。例如,接收器中的低噪声放大器...

                  电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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