品牌/商标 美国IR 型号/规格 IRF3205 *原装墨西哥产地 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/*组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 50(V)
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品牌/商标 三星 型号/规格 IRF644 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 /(V)(V) 夹断电压 /(V)(V) 跨导 /(μS)(μS) *间电容 .(pF)(pF) 低频噪声系数 ...
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