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达林顿管

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源头工厂
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  • 是否提供**:

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    TIP120/TIP121/TIP122/TIP126/TIP127

  • 应用范围:

    达林顿

  • 材料:

    硅(Si)

  • *性:

    NPN型

  • 击穿电压VCBO:

    1(V)

  • 集电*允许电流ICM:

    5(A)

  • 型号/规格:

    ULN2003AFWG

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • *类别:

    无铅*型

  • 型号/规格:

    TIP35C

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • *类别:

    无铅*型

  • 型号:

    TIP122

  • 厂家:

    ST/意法

  • 批次:

    16+

  • 封装:

    TO-220

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    BSP50

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 击穿电压VCBO:

    1.8V

  • 应用范围:

    达林顿

  • 品牌/商标:

    Toshiba/东芝

  • 型号/规格:

    2SB1481

  • 材料:

    硅(Si)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    TIP137

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

  • 封装形式:

    TO-*

  • 型号/规格:

    2SK2878

  • 材料:

    锗(Ge)

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 应用范围:

    达林顿

  • 品牌/商标:

    ON(美國安森美)

  • 型号/规格:

    MJD45H11

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 品牌:

    0N/安森美

  • 型号:

    MJD44H11

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DUAL/配对管

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    2*601 BD651

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MAP/匹配对管

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    FRE*CALE/飞思卡尔

  • 型号/规格:

    TIP42C

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DC/直流

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

  • 开启电压:

    1(V)

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    TIP41C

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 用途:

    NF/音频(低频)

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 林锦基

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 手机:

  • 加工定制:

  • 品牌/商标:

    *

  • 型号/规格:

    MJ15003G

  • 应用范围:

    复合

  • 材料:

    硅(Si)

  • *性:

    N/P型

  • 击穿电压VCEO:

    标准(V)

  • 集电*允许电流ICM:

    标准(A)

  • 封装形式:

    TO-252

  • 型号/规格:

    MJD122T4G

  • 品牌/商标:

    0N/安森美

  • 材料:

    硅(Si)

  • 应用范围:

    达林顿

  • 属性:

    属性值

  • 封装形式:

    TO-225,TO-220

  • 型号/规格:

    2N6035,2N6036

  • 材料:

    硅(Si)

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 应用范围:

    达林顿

  • 是否提供加工定制:

  • 品牌/商标:

    LRC/乐山无线

  • 型号/规格:

    L*TA14LT1G

  • 应用范围:

    达林顿

  • 材料:

    硅(Si)

  • *性:

    NPN型

  • 击穿电压VCBO:

    30(V)

  • 集电*允许电流ICM:

    500m(A)

  • 品牌/商标:

    0N/安森美

  • 型号/规格:

    MJD44H11

  • 应用范围:

    达林顿

  • 结构:

    点接触型

  • 材料:

    硅(Si)

  • 加工定制:

  • 击穿电压VCEO:

    1(V)

  • 应用范围:

    差分

  • 集电*耗散功率PCM:

    1(W)

  • *性:

    N/P型

  • 集电*允许电流ICM:

    1(A)

  • 杨允雄

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 手机:13322924504

什么是达林顿管?

  •   达林顿管又称复合管。它将二只三极管适当的连接在一起,以组成一只等效的新的三极管。这等于效三极管的放大倍数是二者之积。在电子学电路设计中,达林顿接法常用于功率放大器和稳压电源中。
  • 达林顿管

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