HVVi推出高频高电压垂直场效应三极管HVVi半导体推出高频高电压垂直场效应三极管(HVVFET?),HVVi的新构架为雷达和航空电子应用提供频带、电压以及功率级,远远超过了目前的双极性和LDMOS技术的性能。这一具有革命性新的正在申请专利
现行有两种命名方法。种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管,3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三
瑞萨电子公司,高级半导体解决方案的主要供应商,今天宣布推出三款新型超级结金属氧化物场效应三极管(超级结MOSFET)(注1),具有如下的特点:600V功率半导体器件中的导通电阻X栅极电荷,适用于高速电机驱动、DC-DC转换器和DC-AC逆变器应用。
金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应,在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅G电压VG增大时,p型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽,而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时,电子积累层将在n+源区S和n+漏
HVVi半导体推出首个高频高电压垂直场效应三极管(HVVFET?),HVVi的新构架为雷达和航空电子应用提供频带、电压以及功率级,远远超过了目前的双极性和LDMOS技术的性能。这一具有革命性新的正在申请专利的技术使得HVVi达到了可与非硅芯片技术的