SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用，能实现更高能效和更佳性能　　智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31 智能功率模块...

IPM29- SiC_MOS智能功率模块新产品内部集成了新一代N沟道增强型1200V-SiC_MOSFET芯片与与优化的SOI工艺6通道栅极驱动芯片，作为紧凑的1200V等级封装，这款SiC MOSFET IPM使用简便，针对SIC定制优化驱动部分，有效减小开关振荡。此外，它采用紧凑式封装，得益...

智能功率模块采用芯能新一代自研驱动IC和IGBT芯片，优化内部布局与引脚分布，是包括空调压缩机、变频洗衣机、变频烟机和工业驱动器等先进家电/工业电机驱动应用的理想选择。 新产品采用了框架+DBC的散热结构，模块体积小、保护功能齐全、功率密度高、散热...

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出了IM523系列高效智能功率模块（IPM），进一步壮大其CIPOS?Mini家族的产品阵容。该系列智能功率模块采用了全新的600V逆导型驱动器2（RCD2）IGBT技术，并且带有开放式发射极。CIPOSIM523系列智能功率模...

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出了IM523系列高效智能功率模块（IPM），进一步壮大其CIPOSMini家族的产品阵容。该系列智能功率模块采用了全新的600V逆导型驱动器2（RCD2）IGBT技术，并且带有开放式发射极。CIPOSIM523系列智能功率模...

当前，新型快速开关的碳化硅（SiC）功率晶体管主要以分立器件或裸芯片的形式被广泛供应，SiC器件的一系列特性，如高阻断电压、低导通电阻、高开关速度和耐高温性能，使系统工程师能够在电机驱动控制器和电池充电器的尺寸、重量控制和效率提升等方面取得显著进展，同时推动SiC器件的价格持续...

当前，新型快速开关的碳化硅(SiC)功率晶体管主要以分立器件或裸芯片的形式被广泛供应，SiC器件的一系列特性，如高阻断电压、低导通电阻、高开关速度和耐高温性能，使系统工程师能够在电机驱动控制器和电池充电器的尺寸、重量控制和效率提升等方面取得显著进展，同时推动SiC器件的价格持续下...

各行业所需高温半导体解决方案的CISSOID今日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM）平台。这项新的智能功率模块技术提供了一种一体化解决方案，即整合了内置栅极驱动器的三相水冷式碳化硅MOSFET模块。　　这个全新的...