埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣布推出BLC10G27XS-400AVT400W非对称Doherty射频功率晶体管。此Doherty晶体管专为在2.496GHz至2.690GHz频率范围内工作的基站多载波应用而设计，其采用了埃赋隆备受业界推崇的第9代28VLDMOS工艺技术。该Doherty晶体管采用气腔塑料...
恩智浦半导体日前宣布推出MRF1K50H射频晶体管，与采用任何技术或在任何频率下的产品相比，都具有最强大的性能。MRF1K50H可在50V电压下提供1.50kWCW功率，能够减少高功率射频放大器中的晶体管数量，从而减小放大器尺寸并降低物料成本。MR
近日消息，据外媒报道，意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)推出新系列射频(RF)功率晶体管。新系列产品采用先进技术，为政府通信、用于紧急救援的专用移动无线电系统以及L波段卫星上行设备等要求苛刻的重要应用领域提高无线通信系统的
恩智浦半导体NXPSemiconductorsN.V.今天宣布推出广播发射机和工业用600WLDMOS超高频（UHF）射频功率晶体管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市场上功能最强大的LDMOS广播发射机晶体管，支持470-860MHz完整
英飞凌（Infineon）在近期举行的IEEEMTT-S国际微波研讨会上，发布了专门面向700MHz频段无线基础设施应用的全新射频功率晶体管系列。该频段在美国将用于承载4G（第四代）蜂窝、移动电视广播和其他移动宽带服务，其中包括LTE（长期演进）和
导读：近日，英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率（700瓦），适用于工作频率范围为1200MHz~1400MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少所需的组件，降低系统成本，提高可靠性。英飞凌新型功率晶体管
导读：日前，飞思卡尔半导体发布了AFT27S006N和AFT27S010N两款全新的射频功率晶体管，此两款新器件的推出在满足效率提升、峰值功率和信号带宽需求的同时，还能应对降低成本的持续压力，完美的成为Airfast射频功率解决方案。大功率射频（R
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，这种产品能够承受相当于65.0:1的电压驻波比（VSWR）的负载失配。但这些晶体管真...
