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SMD
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TF 外焊自弹
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TF卡
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IR/国际整流器
IRFPS35N50L
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-ARR/陈列组件
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
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MDS160
MAKDRY迈卓
▲規格說明makdry迈卓MDS--1500湿度范围:10%RH以下全自动外 寸:W1200*H1980*D715 mm 内 寸:W1198*H1820*D687 mm 容 积:1482公升 层板:五片标准层板,层板可调节,合理分配柜体内空间颜色:白色/黑色电压:220V:&a...
电话:0769-83231568
台湾LI .YI
0603 10K 5% 3435
精密
合成式
热敏电阻器
平面片状
无引线
热敏
电话:86075529787585
贴片型
2SC4226-SOT323
硅(Si)
国产
微波
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手机:13466592802
是
整流管
否
MIC
UF5404/1N5399
锗(Ge)
1A 3A
电话:8675582812295
手机:13510114474
松下/EECE*F204RT
园片形
高频
径向引出线
0.2F
固定
电话:86075582867903-812
手机:13420912141
386
SINWE
一、产品简介: 单组分室温固化*硅胶。胶料固化后为弹性体,具有卓越的*冷热交变性能、耐老化性能和*缘性能,胶层具有优异的*潮、*震、耐电晕、*漏电性能。与一般*硅密封胶相比,具有对基材优异的粘附性、耐黄变性和*...
电话:0755-29960285
手机:13424237078
K1100E70
teccor
封装类型 封装类型 Radial Leaded 安装方法 安装 Through Hole 电流上升临界值 di/dt TYP (A/μs) 150 重复性关闭状态峰值电流 IDRM (μA) 5 开状态电流 IT(RMS) MAX (A) 1 切换电阻 RS (kΩ) 0.1000 重复性关闭状态...
电话:0769-85498736
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这款3合1无线充电站有两个充电器和18个铜线圈,用于快速充电。它的特别之处在于它能够处理电量水平,同时为手机、智能手机和手表充电。它的设计用于给带有外壳的设备充电,但可能会被厚厚的外壳或诸如PopSocket之类的障碍物干扰。德欧泰克的DI048N04PT MOSFET...
Canalys最新发布的数据显示,2024年第一季度全球真无线耳机(TWS)市场继续表现出稳健的增长势头,出货量达到6500万对,同比增长6%。 在市场份额的竞争中,尽管苹果的市场份额有所减少,其出货量同比下降了8%,但凭借1600万的出货量,苹果仍然稳居榜首,占...
根据机构Counterpoint统计显示,2023年上半年全球TWS真无线耳机市场销售额同比下滑2%,2023年上半年,低于50美元(365元人民币)的TWS耳机销售额占比43%;50~100美元(365~730元人民币)、100~150美元(730~1095元人民币)的产品占比同比下降,而超过的150美...
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向包括无线耳机和智能手表等可穿戴设备在内的需要脱戴检测和接近检测的各种应用,开发出2.0mm×1.0mm尺寸的小型接近传感器“RPR-0720”。 近年来,随着物联网设备的普及,在其中发挥着重要作用的传感器产...
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款小型且高效的20V耐压Nch MOSFET*1“RA1C030LD”,该产品非常适用于可穿戴设备、无线耳机等可听戴设备、智能手机等轻薄小型设备的开关应用。 近年来,随着小型设备向高性能化和多功能...
阿累尼乌斯方程 - 计算活化能 下面给出的阿伦尼乌斯方程指定了化学反应速率常数对绝对温度的依赖性: 过程 速率 (PR)=Ae?EaKBT 等式 1。 为了将该方程应用于老化预测问题,我们需要知道老化过程的活化能 E a。该参数可以根据两个或多个温度下的老...
无论设计师是否愿意,它们每年都在缩小并带来新的挑战。我们能做的就是努力了解并降低风险,同时充分利用收益。 考虑到这一点,这里概述了与使用较小组件相关的一些主要好处和风险。 优点:更小的整体电路板 较小的电气元件的一个明显好处是它们可以...
通过增加电子元器件以提供电路保护,来防止内部和外部故障是吃力不讨好的设计工作之一,这类似于购买保险。尽管遵循监管要求和最佳实践是不错的出发点,但当不需要时,它似乎是一个额外的负担;而当确实需要时,又很难知道保护是否足够到位。需要保护的最常见故障类别包括由内部或外部短路、...