安森美半导体(OnSemi)近期宣布推出新的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)器件，用于汽车、医疗及消费市场。这些EEPORM器件包括高密度的512千比特(kb)CAT24C512和1兆比特(Mb)CAT24M01，均支持1.8伏(V)至5.

GBT17574.9-2006半导体器件集成电路第2-9部分数字集成电路紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细规范.rar将鼠标放在附件.rar处即可修改，建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：http://www.yinghuoch

GB-T14119-1993半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器空白详细规范.rar将鼠标放在附件.rar处即可修改，建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：http://www.yinghuochong.com/disk/346231

闪速（Flash）EEPROM作为一种分立元件已经使用很多年了，它们在结构和运用等方面都与EEPROM类似。闪速EEPROM和EEPROM之间的基本差异就在于其写入处理方面，闪速EEPROM是基于热电子注人而不是隧道效应。“热”电子就是快速电子，它们由源极和漏极之间的高电位差来产生，其中一些“热”电子因...