品牌:IR 型号:IRFP460.... 批号:08+ 封装:TO-247 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:模拟信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:小规模 规格尺寸:1(mm) 工作温度:-40~125(℃) 静态功耗:1(mW)本公...
电话:755-82539650
品牌:ST 型号:L7806/09/12/24 应用范围:功率 功率特性:大功率 频率特性:低频 *性:PNP型 结构:合金型 材料:锗 封装形式:TO-220 封装材料:金属封装 特征频率:311(MHz) 集电*允许电流:1.5(A) 集电*允许耗散功率:5(...
电话:0755-83010837
电话:0755-83226258
IRF4905PBF
CER-DIP/陶瓷直插
0
IR/国际整流器
L/功率放大
N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
N沟道
电话:0755-61692990
品牌:ST 型号:BUX48A BUV48A 批号:2010+ 封装:TO-3 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数模混合信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:*规模 工作温度:-40~85(℃)*原装现货*,原装,价格合理,质量有*,...
电话:0755-83743703
品牌:Toshiba东芝 型号:2SC5352.2SC3306.2SD1314.2SC3307 控制方式:双向 *数:三* 封装材料:金属封装 封装外形:平底形 关断速度:普通 散热功能:不带散热片 功率特性:大功率 额定正向平均电流:10-20(A) 控制*触发电...
电话:0755-83013722
品牌:国华 型号:RX20 种类:排阻 性能:通用 材料:*实心我公司是生产电阻的高科技企业之一,主要生产全系列大功率电阻、铝壳电阻、线绕电阻、水泥电阻、分流电阻、高压电阻、精密金属膜、金属氧化膜、碳膜电阻等各种特...
电话:0755-33818579
品牌:和安 型号:RX20RX24 性能:通用 制作工艺:普通线绕 特性类别:*实心电阻器 引线类型:轴向引出线 外形:圆柱形 材料:薄膜 我公司是生产电阻的高科技企业之一,主要生产全系列大功率电阻、铝壳电阻、线绕电阻、水泥电...
电话:0755-29892477
12
1
直插型
50
s8550
硅(Si)
长电
放大
电话:0755-83254343
品牌:NEC/日本电气型号:2SC3356R25应用范围:放大材料:硅(Si)*性:NPN型击穿电压VCBO:10(V) 集电*允许电流ICM:20(A) 结构:点接触型封装形式:贴片型封装材料:金属封装 详细说明:2SC3356硅*频低噪声功率...
电话:755-61685246
品牌:TOSHIB 型号:2SK3079A 批号:09+ 封装:SOT89 营销方式:现货 产品性质:*金思得科技有限公司本着“客户,诚信至上”的原则,与多家企业建立了长期的合作关系。热诚欢迎各界朋友前来参观...
电话:755-83015099
品牌:AO美国原厂* 型号:AOB434 批号:09年新货RoSH*合国际*标准 封装:TO263 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:模拟信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:小规模 规格尺寸:N/A(mm) 工作温度:-40~125...
电话:0755-23816288
品牌:MITSUBISHI 型号:K1 封装形式:贴片型 装配方式:有引线表面组装 封装材料:塑料封装 结构:平面型 材料:硅 *性:NPN型 频率特性:*频 功率特性:大功率 营销方式:现货 应用范围:放大 产品特征:(1)N沟道增强型功率MOS...
电话:755-89800786
品牌:国产 型号:C945 应用范围:放大 功率特性:小功率 频率特性:高频 *性:NPN型 结构:平面型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 营销方式:库存 产品性质:*深圳市杰恩汇源电子有限公司经销世界原厂IC,做...
电话:0755-82783306
0N/安森美
NTD23N03RT4G
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
SW-REG/开关电源
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:
TOSHIBA/东芝
2SA1360-O(Y)/2SC3423-O(Y)
功率
其他
PNP型
--(A)
5(W)
--(MHz)
电话:755-83681575
FairChild*童
TIP41C
大功率
中频
NPN型
TO-220
电话:755-29582988
TOSHIBA/东芝
GT15J301
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
AM/调幅
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
电话:0755-82539132
品牌:POLYFET 型号:L2721 批号:09+ 封装:S02 营销方式:* 产品性质:新品 处理信号:模拟信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:大规模 规格尺寸:0.147(mm) 工作温度:-40~125(℃) 静态功耗:0.24(mW)P...
电话:755-83211827
品牌:FUJI 型号:D92-02 种类:结型(JFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:CC/恒流 封装外形:LLCC/无引线陶瓷片载 材料:GE-P-FET锗P沟道 开启电压:1(V) 夹断电压:1(V) 低频跨导:1(μS)大量库存...
电话:0755-83238653
ROHM 开发了内置 650V GaN HEMT 和栅极驱动器的功率级 IC - BM3G0xxMUV-LB 系列。 这些器件非常适合工业和消费应用(例如数据服务器和交流适配器)内的主电源。 在过去的几年里,消费者和工业部门越来越需要更多的能源节约,以实现可持续发展的社会。 虽然...
目前,同业竞争氮化镓技术均未推出插件式封装的氮化镓器件。采用符合产业标准的插件式封装,电源能够以更低的成本获得功率密度优势。 加州戈利塔--2023年1月13日--(美国商业资讯)--高可靠性、高性能氮化镓(GAN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transpho...
高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日发布了针对其氮化镓功率管的最新可靠性评估数据。评估可靠性使用的失效率(FIT)是分析客户现场应用中失效的器件数。迄今为止,基于超过850亿小时的现场应...
2009年全球半导体大衰退,随后是整体强势复苏,功率晶体管市场也跟随了这一趋势。但之后,功率管市场进入剧烈波动期,受产业库存压力以及系统制造商对宏观经济担心而减少订单影响,过去5年中有3年销售额同比下降。2015年功率管销售额同比下跌7%,随后在2016年同比增长5%,销售额达129亿美...
在经历了2012、2013连续两年下滑后,功率管迎来了回暖的市场,市调机构ICInsights预计功率管市场2014年将增长8%,2015年市场将创新高。过去三十余年内,功率管一直是分立器件市场的领军者,分立器件市场总容量约为210亿美元,其中功率
电路发生故障或异常,随着电流不断升高,并且电流升高有可能损坏电路中的某些重要器件或贵重器件,也可能烧毁电路甚至造成火灾。电路中正确地安置了熔断器,熔断器就会在电流异常升高到一定的高度和一定的时候,自身熔断切断电流,从而起到保护电路安全运行的作用。 意法半导体STEF01可编...
一、线性稳压器和开关稳压器的不同概念 1.什么是线性稳压器? 线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET,从应用的输入电压中减去超额的电压,产生经过调节的输出电压。所谓压降电压,是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。...
摘 要:本文提出了一种低导通损耗的USB 电源开关的设计方案。该方案中的电路采用自举电荷泵为N 型功率管提供足够高的栅压, 以降低USB 开关的导通损耗。在过载情况下, 过流保护电路能将输出电流限制在0. 3 A. 1 引言 通用串行总线( Universal Serial Bus) 使PC 机与外部设备的连接...