MBR2045 B2045
ON(安森美)
TO220
无铅环保型
直插式
单件包装
手机:13192369995
是
*
MUR3020PT、MUR3020WT
放大
硅(Si)
NPN型
点接触型
直插 / 贴片
手机:15817922869
P-DIT/塑料双列直插
STPS30H100CW
N-FET硅N沟道
MOS-HBM/半桥组件
ST/意法
N沟道
结型(JFET)
增强型
手机:
小功率
60(V)
16(A)
60(V)
60(V)
电子管
高频
电源
手机:
否
整流管
是
SANKEN
FMG22S
硅(Si)
.
.
手机:
45V
*R2545*
硅(Si)
Vishay/威世通
整流管
3
是
TO-220
手机:15626790473
否
ST/意法
2SK3568
功率
塑封
平面型
TO-220
塑料封装
手机:
/(℃)
/
/
硅(Si)
是
3
/
/
手机:13536862667
ST/意法
20H100
整流管
点接触型
TO-220
直插型
金属封装
大功率
手机:
IR/国际整流器
YG805C06YG906C2.YG805C10.FCH10A06
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
电话:86 0754 82333784
手机:15816608784
台产
SF1602G
功率
硅(Si)
NPN型
-(V)
-(A)
-(W)
电话:86 0754 84440857
手机:13428329083
品牌/商标 FairChild*童 型号/规格 10*Q100 应用范围 开关 功率特性 *率 频率特性 中频 *性 NPN型 结构 肖特基 材料 ---- 封装形式 直插型 封装材料 ---- 截止频率fT ----(MHz) 集电*允许电流ICM ----(A) 集电*...
电话:86 0754 13726500272
手机:13726500272
TOSHIBA/东芝
*R2560
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DC/直流
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
电话:0755-83667347
产品类型 整流管 是否* 是 品牌/商标 TSC台湾半导体 型号/规格 *L1640* 材料 硅(Si) 40V肖特基 *L1640* 16A 40VSR1640 16A 40V STPS16L40* 16A 40V *L2040* 20A 40V S20*0 20A 40V SR2040* 20A 40V 肖特基快恢复
电话:86 0754 84483628
手机:13322722404
产品类型 整流管 品牌/商标 SanKen三垦 型号/规格 C023M-15 C021M-15 C022M-13 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 树脂封装 功率特性 大功率 频率特性 中频 发光颜色 电压控制 LED封装 无色透明封...
电话:86 0754 89972709
否
快恢复二*管
是
TSC/台半
LXA06T60
硅(Si)
0
0
电话:0754-84495862
肖特基管
*
SF82P
合金型
锗(Ge)
直插型
金属封装
大功率
电话:0754-136761250
FUJI/富士通
S20LC20U
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MIN/微型
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
电话:0754-82201262
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布,旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower(CFP)封装二极管系列产品组合再添新产品。新增产品包括4个采用CFP3和CFP5封装的650V、1A器件,可应用于车载充电器(OBC)和电动汽车逆变器,以及工业应用中的功率...
电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性,主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。(一)整流二极管的主要参数1.IF—平均整流电流。指二极管长期工作时允许通过的正向平均电流。该电流由PN结的结
与SBD相比,SR可以承受更高的阻断电压。 表1 给出了UMOS管和VMOS管两种结构的性能参数。 表1 UMOS管和VMOS管结构的性能参数比较 由表1 可知,用做SR的MOS管比较好的器件是UMOS。而且,对同一系列的SR,额定阻断电压越高,RDS(on)越大。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dz...
功率MOS管有寄生的二极管,称为体二极管,其恢复时间trr与存储在体二极管内的多余电荷成正比。一般功率MOS管的体恢复时间trr约为200ns,希望皿体二极管的trr也和SBD一样,能控制在10ns左右。此外,体二极管的通态损耗与其正向压降UF成正
SR的功耗,可以用式(7-5)近似表示: 式中 项——正向通态损耗,其中IFrms为正向电流有效值; RDS(on)——功率MOS管的通态电阻; 第二项——开关过程中功率MOS管输入电容Cin充放电引起的损耗,其中f为开关频率; Cin——等效输人电容; UG...