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5.5G技术

MJD2955G的技术参数

产品型号:MJD2955G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):60集电极最大电流IC(Max)(A):10直流电流增益hFE最小值(dB):20直流电流增益hFE最大值(dB):100最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):2总功耗P

基础电子时间：2007/4/18 阅读：1361

MJ2955G的技术参数

产品型号:MJ2955G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):60集电极最大电流IC(Max)(A):15直流电流增益hFE最小值(dB):15直流电流增益hFE最大值(dB):120最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):2.500总

基础电子时间：2007/4/18 阅读：2433

TIP3055G的技术参数

产品型号:TIP3055G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):60集电极最大电流IC(Max)(A):15直流电流增益hFE最小值(dB):5直流电流增益hFE最大值(dB):－最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):2.500总功耗

基础电子时间：2007/4/18 阅读：1802

TIP2955G的技术参数

产品型号:TIP2955G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):60集电极最大电流IC(Max)(A):15直流电流增益hFE最小值(dB):5直流电流增益hFE最大值(dB):－最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):2.500总功耗

基础电子时间：2007/4/18 阅读：1667

2N5655G的技术参数

产品型号:2N5655G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):250集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.500直流电流增益hFE最小值(dB):30直流电流增益hFE最大值(dB):250最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):

基础电子时间：2007/4/18 阅读：1459

2N3055G的技术参数

产品型号:2N3055G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):60集电极最大持续电流IC(Max)(A):15直流电流增益hFE最小值(dB):20直流电流增益hFE最大值(dB):70最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):2.500

基础电子时间：2007/4/18 阅读：1844

MPSA55G的技术参数

产品型号:MPSA55G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):60集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):－最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100封装

基础电子时间：2007/4/18 阅读：1409

NTP2955G的技术参数

产品型号:NTP2955G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):196最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:P沟道封装/温度(℃):TO-220/-55~150描述:-60V,-12A功率MOSFET价

基础电子时间：2007/4/18 阅读：1360

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