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日本311地震打击CMOS图像传感器产业

维库电子市场网讯,IHSiSuppli公司的研究显示,日本发生的311地震正在冲击日本两家工厂的CMOS图像传感器生产,影响了手机摄像头的生产与分配。“东芝的岩手县图像传感器工厂已经关闭,它生产用于手机摄像头的逻辑芯片与CMOS图像传感器。...

分类:业界要闻 时间:2011/4/20 阅读:994 关键词:CMOS图像传感器

CMOS图像传感器供应受地震影响严重

上月日本发生的地震正在冲击日本东芝和索尼这两家工厂的CMOS图像传感器生产,影响了手机摄像头的生产与分配。东芝的岩手县图像传感器工厂已经关闭,它生产用于手机摄像头的逻辑芯片与CMOS图像传感器。同样,索尼为手机OEM厂商生产的CMOS...

分类:业界动态 时间:2011/4/14 阅读:1528 关键词:CMOS图像传感器

2010年CMOS摄像模组市场分析

2010年CMOS摄像模组组装领域波澜不惊,富士康依然一家独大,光宝将敦南的CMOS摄像模组组装产能转移到光宝集团内部。三星电机和LGINNOTEK都提高了出货量,原本大的夏普沦落到全球第三,随着诺基亚出货量的萎缩,夏普的出货量还会下降。水

分类:业界动态 时间:2011/3/11 阅读:368 关键词:CMOS

安森美重金收购赛普拉斯CMOS图像传感器业务部

安森美半导体(ONSemiconductor)已完成向赛普拉斯半导体以全现金交易收购CMOS图像传感器业务部(ISBU),金额为约3,140万美元,以购买协议为准作调整。此收购价格约为该业务部年销售额的1倍。向赛普拉斯收购的ISBU提供宽广阵容的高

分类:业界要闻 时间:2011/3/7 阅读:166 关键词:图像传感器

安森美完成收购赛普拉斯CMOS图像传感器业务部

安森美半导体(ONSemiconductor)已完成向赛普拉斯半导体以全现金交易收购CMOS图像传感器业务部(ISBU),金额为约3,140万美元,以购买协议为准作调整。此收购价格约为该业务部年销售额的1倍。向赛普拉斯收购的ISBU提供宽广阵容的高

分类:名企新闻 时间:2011/3/3 阅读:1340 关键词:CMOS安森美图像传感器

2013年CMOS传感器出货量将首超CCD

据IHSiSuppli公司的研究,数码相机CMOS图像传感器出货量未来三年将快速增长,到2013年将首次超过CCD。CMOS图像传感器于80年代发明以来,由于当时CMOS工艺制程的技术不高,以致于传感器在应用中的杂讯较大,商品化进程一直较慢。时至今

分类:行业趋势 时间:2011/3/3 阅读:1705 关键词:CCDCMOS传感器

海洋光学推出基于CMOS传感器的光谱仪

作为的光传感和光谱技术解决方案提供商,海洋光学近期研发出一种低成本、高性能的基于CMOS传感器的光谱仪。该光谱仪特别适宜于嵌入OEM设备中。虽然STS的体积很小,只有40mmx42mmx24mm,但是它的功能表现丝毫不逊于大型系统。主要特色

分类:新品快报 时间:2011/2/25 阅读:471 关键词:CMOS传感器光谱仪

产能吃紧 CMOS影像感测器供货不顺

CMOS影像感测器,也称互补金属氧化半导体影像感测器,在许多消费产品上,几乎已经完全取代光电荷耦合元件(CCD)影像感测器,在轻薄短小的可携式产品、以价格差异化的低成本应用产品、或多样少量的利基型创新产品,极具发展机会。近来市场...

分类:业界动态 时间:2011/2/16 阅读:481 关键词:CMOS感测器

瑞萨通过标准CMOS实现28nm工艺DRAM混载技术

瑞萨电子开发出了利用与标准CMOS工艺相近的方法在逻辑LSI中混载DRAM的技术。该项技术面向28nm工艺以后的产品,瑞萨电子将把该工艺的SoC(SystemonaChip)生产全面委托给代工企业。瑞萨电子计划通过该项技术,把由外部供应商面向代工企

分类:业界要闻 时间:2011/1/21 阅读:1236 关键词:28nmCMOSDRAM

BLACK SAND推出3G CMOS射频功率放大器

专长于无线应用领域先进功率放大器技术的无晶圆厂半导体公司BlackSand科技有限公司日前宣布:公司已推出两条新的3GCMOS射频功率放大器(PA)产品线,它们显着地提升各种手机、平板电脑和数据卡的可靠性和数据传输量。该产品系列包括6个特别...

分类:新品快报 时间:2011/1/20 阅读:321 关键词:CMOS功率放大器

索尼计划翻倍生产CMOS传感器

索尼宣布在新财年将向索尼九州半导体公司长崎技术中心投资1000亿日元(约合人民币80亿元),以期在2012年3月底之前将其CMOS传感器产量提高一倍,由目前的月产25000片提高至50000片。索尼的投资计划包括回购位于日本长崎的NSM(Nagas

分类:名企新闻 时间:2011/1/4 阅读:1136 关键词:CMOS传感器

硅CMOS技术可扩展到10nm以下

“硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器(ReRAM)以及EUV曝光技术等新构造、新材料和新工艺,硅CMOS技术将继续保持其主导地位”。半导体制造技术国际会议“2010IEEEInterna

分类:业界要闻 时间:2010/12/13 阅读:1350 关键词:10nmCMOS

15nm CMOS技术的发展

在半导体制造技术相关国际会议“2010IEEEInternationalElectronDevicesMeeting(IEDM2010)”开幕前一天的2010年12月5日,举行了一场以“15nmCMOSTechnology”为题的短讲座...

分类:业界要闻 时间:2010/12/13 阅读:1344 关键词:CMOS

芯科发表业界频率弹性的CMOS时钟发生器

SiliconLaboratories(芯科实验室有限公司)发表业界频率弹性可在线编程的CMOS时钟发生器。新推出的8路时钟发生器Si5350/51内置压控石英晶体振荡器(VCXO),能以单一时钟IC取代传统的多器件锁相环(PLL)解决方案,与

分类:新品快报 时间:2010/11/15 阅读:1132 关键词:CMOS发生器

Avago在40纳米CMOS工艺技术上取得重大突破

作为通信、工业和消费类应用提供模拟接口组件的供应商AvagoTechnologies(Nasdaq:AVGO),今天宣布已在40纳米CMOS工艺技术上取得28Gbps的串化器/并化器(SerDes)性能表现。这一里程碑标志着集成SerDes知识

分类:业界要闻 时间:2010/11/8 阅读:236 关键词:AvagoCMOS