为了能在次45nm时代更有效率地转向4G通讯和多重处理技术，比利时国际微电子中心(IMEC)所进行一项为期三年的Apollo策略研究计划现已取得成果。另外，这也有助于近日从IMEC独立而出的无晶圆厂半导体公司M4SNV的发展。Apollo是IMEC
分类：业界要闻 时间：2008/1/2 阅读：257
IMEC发布high-k金属栅成形工艺的简化方法 通过离子氮化区分pMOS和nMOS的制造
据日经BP社报道，在IEDM大会第二天的“GateStackProcessII–MetalGate/HighKIntegration”会议上，有关高介电率（high-k）绝缘膜/金属栅极（MGHK：metalgate/high-k)的论文相继发表。
分类：名企新闻 时间：2007/12/20 阅读：791
Ormecon的新型Nanofinish表面处理工艺找到欧洲买主
德国PCB制造商ggpPeters和OrmeconInternational达成协议，在ggp安装新Nanofinish工艺。这是Nanofinish生产线首次被安装在亚洲以外地区，也是其首次被安装在一家完全整合的PCB生产厂内。韩国柳镇一家表面处
分类：名企新闻 时间：2007/12/14 阅读：730 关键词：Ormecon
IMEC 32nm研发成员齐努力 平面CMOS及FinFET技术取得新突破
在日前举行的2007年IEEE国际电子器件会议（2007IEDM）上，欧洲微电子研究机构IMEC公布了平面CMOS及FinFET器件研究进展。IMEC表示，在32nm节点中，铪基高k介质及TaC金属栅极的应用显著提高了平面CMOS的性能；通过在
在近期举行的Productronica展览会上，Ormecon介绍了其PCB纳米涂层表面处理工艺的进展，公布了他们最近的评价和测试数据。已经有几家的研究所和厂家对这种只有50纳米厚度涂层的PCB表面处理新工艺进行了测试，并发现这种超薄的表面涂层
Camstar发布新版MECamstar发布新版MES系统，助力电子制造企业实现高效运营S系统，助力电子制造企业实现高效运营
随着经济的迅速发展，制造企业面临着日益激烈的市场竞争，需要维持较低的制造和劳动成本，提高制造灵活性，在整个供应链上缩短产品上市时间。因此就要求快速采用并部署新技术和工艺，降低产品上市时间，并在维持高质量的同时提高资产利用...
分类：业界要闻 时间：2007/11/5 阅读：657
IMEC扩展32纳米CMOS器件研究范围，纳入DRAM MIMCAP工艺技术研究
比利时研究组织IMEC已扩展其32纳米CMOS器件微缩(scaling)研究工作的范围，纳入了一个关于DRAMMIMCAP(金属-绝缘体-金属电容器)工艺技术的研究项目。IMEC表示，这将使它以及32纳米计划中的许多伙伴能够解决未来节点上DRAMM
分类：业界要闻 时间：2007/10/30 阅读：769 关键词：CMOS
比利时的IMEC宣布将于2010年导入荷兰ASML的EUV（extremeultraviolet）曝光装置——“PPT（pre-productiontool）”。PPT相当于量产评估用β机，能够应用于22nm工艺CMOS技术的研发。IMEC同时还表
分类：名企新闻 时间：2007/10/23 阅读：755
欧明创（ORMECON）在韩国安装了一条新的纳米级PCB表面处理生产线。整个表面处理镀层的厚度只有55纳米，包括了一层复杂的有机纳米金属和银，而银的厚度小于5纳米。正是如此之薄的镀层，提供了非常的氧化保护和可焊性，比其它表面处理方法...
分类：业界要闻 时间：2007/10/10 阅读：687 关键词：ORMECON
OrmeconInternational向印刷电路板(PCB)市场推出了纳米尺寸的全新表面处理工艺。表层由有机纳米金属和银（银所占比例不到10%）形成的纳米粒子复合材料组成，厚度仅为55纳米。尽管这种新型纳米处理的厚度仅为其它任何传统金属处理厚度的
移动技术供应商高通公司(QualcommIncorporated)近日宣布加盟欧洲的独立微电子研究中心IMEC的TAD计划(technology-awaredesign)。IMEC与高通公司将在创新电路与系统设计方法领域展开合作。IMEC的TA
分类：新品快报 时间：2007/9/5 阅读：1147
IMEC宣布32纳米光刻技术取得进展，两次图形曝光技术将成主流
在SemiconWest展销会上，比利时研究机构IMEC宣布在32纳米光刻技术方面取得进展，两次图形曝光技术(doublepatterning)比其他技术发展更快。IMEC认为32纳米光刻技术开发在去年取得了重大进展。其CEOLucVandehov
分类：业界要闻 时间：2007/7/31 阅读：1516
IMEC携手英飞凌取得重大技术突破，将多栅极晶体管推向新的维数
在日本东京举办的超大规模集成电路研讨会(VLSISymposium)上，半导体研究中心IMEC发布了一项该公司在32纳米以下工艺技术的重大进展。所提出的报告重点介绍多栅极场效应晶体管(MugFET)，英飞凌称，这是已经实现的多项研究结果中的成果
分类：新品快报 时间：2007/6/25 阅读：819 关键词：晶体管
Silterra将与总部位于比利时的研究机构IMEC合作进行90nm生产。马来西亚芯片制造商已经在考虑跳过90nm节点，直接转向65nm生产。其合作伙伴表示，他们将扩展现有的合作关系，共同开发90nmCMOS工艺技术，最终升级到65nm。合作的工程
分类：名企新闻 时间：2007/6/21 阅读：679
日本Mectron公司在“JPCAShow2007”（2007年5月30日～6月1日，东京BigSight国际会展中心）上展出了实现微细布线的多层超薄柔性底板的试制品。试制品按照手机中的相机模块底板制成，6层的厚度仅0.3mm。布线层中第2～5层的
分类：业界要闻 时间：2007/6/7 阅读：782
