意法半导体(ST)公司日前披露了一项技术，据称可大幅提高薄膜无源元件集成的结电容密度。这项技术是在ST公司的IPAD技术上扩展的。可实现每平方米大于30毫微法的电容集成，这比当前的技术提高了50倍。这项技术是以一些被称作“PZTPerovskit...
分类：业界要闻 时间：2006/1/16 阅读：187
意法半导体公司（ST）日前首次公布了一项关于在薄膜无源器件集成工艺中大幅度提高结电容密度的突破性技术的细节，这项新技术大幅度扩展了ST的IPAD（集成无源及有源器件技术）的功能，允许集成电容密度高于30nF/mm2的电容器，比现有的采用...
分类：业界要闻 时间：2006/1/16 阅读：203 关键词：半导体
