意法半导体开启了其最新的电动汽车碳化硅功率器件封装生产线，新产线所在工厂位于摩洛哥卡萨布兰卡-塞塔特地区的博斯克库拉，耗资2.44亿美元的扩建工程将使工厂现有生产面...
分类：名企新闻 时间：2022/6/22 阅读：2456
Wolfspeed 全球首座 200mm SiC 工厂盛大开业，提升备受期待的器件生产
美国北卡罗来纳州达勒姆市与中国上海市讯 — 全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 宣布，其位于美国纽约州莫霍克谷（Mohawk Valley）的采用领先前沿技术的 SiC 制造工厂正式开业。这座 200mm 晶圆工厂将助力推进诸...
分类：名企新闻 时间：2022/6/14 阅读：148 关键词：RISC-V
Rhombus 采用 Wolfspeed SiC 器件，实现更快电动汽车充电速度
全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，与电动汽车（EV）充电和功率转换技术的领军企业 Rhombus Energy Solutions 开展重要合作，其SiC MOSFET将被Rhombus用于其EV2flex系列充电基础设施产品中，此举将...
分类：名企新闻 时间：2022/5/28 阅读：185 关键词：SiC 器件
Yole：到 2027 年，SiC 器件市场预计将增长到 60 亿美元以上
根据Yole的一份研究通知，截至2022年，比亚迪的Han-EV和现代的Ioniq-5因为可快速充电而chang销。更多的OEM（如蔚来、小鹏汽车等）计划在2022年将SiC电动汽车推向市场。 除...
分类：行业趋势 时间：2022/4/1 阅读：3758
Microchip推出业界超过的3.3 kV碳化硅（SiC）功率器件，实现更高的效率与可靠性
牵引功率单元（TPU）、辅助动力装置（APU）、固态变压器（SST）、工业电机驱动和能源基础设施解决方案的系统设计人员需要借助高压开关技术来提高效率和可靠性，并减小系统...
分类：新品快报 时间：2022/3/23 阅读：1452
日前，泰克在华南地区首台DPT1000A在深圳美浦森半导体正式交付。DPT1000A功率器件动态参数测试系统由泰克科技领先研发，一经推出就受到广大科研和企业用户的强烈关注。 DP...
分类：名企新闻 时间：2021/8/20 阅读：1194
英飞凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立器件系列，提供优异效率
近日，英飞凌科技股份有限公司(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出650VCoolSiCHybridIGBT单管产品组合，具有650V阻断电压。新款CoolSiCHybrid产品系列结合了650VTRENCHSTOP5IGBT技...
分类：新品快报 时间：2021/8/9 阅读：1972
新型车用650 V CoolSiC?混合分立器件助力快速开关车载充电器应用实现性能提升
英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）近日推出车用650VCoolSiC?混合分立器件。该器件包含一个50ATRENCHSTOP?5快速开关IGBT和一个CoolSiC肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。这种组合为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质与性...
分类：新品快报 时间：2021/4/2 阅读：15434
作为第三代半导体材料之一，碳化硅(SiC)具有耐高压、耐高温、能量损耗低而耐高频运行的特点，因此使用SiC功率器件可以大幅降低终端用户成本支出。现阶段，各厂商都对新一代...
分类：业界动态 时间：2020/8/26 阅读：1059 关键词：新能源汽车
CISSOID-实现SiC器件与高速电机、电控系统的全方位优化、匹配
各行业所需高温半导体解决方案的CISSOID日前宣布：公司已与华中科技大学电气与电子工程学院达成深度战略合作协议，双方将携手研发针对碳化硅（SiC）功率电子应用的全方位优化、匹配的电机和电控系统，以充分发挥SiC器件的高频、高压、高...
ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被应用于中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，总部位于中国上海市，以下简称“UA...
作为半导体界公认的“一种未来的材料”，在沉寂了一段时间之后，SiC功率元器件终于在汽车市场迎来了爆发，尤其是在有着巨大增长机会的电动汽车领域。 据了解，基于SiC的...
分类：行业趋势 时间：2019/7/2 阅读：1841 关键词：新能源汽车
日前，德国大厂英飞凌宣布，已收购一家名为Siltectra的初创企业，将一项创新技术(ColdSpilt)也收入了囊中。“冷切割”是一种高效的晶体材料加工工艺，能够将材料损失降到。英飞凌将把这项技术用于碳化硅（SiC）晶圆的切割上，从而让单片...
分类：业界动态 时间：2018/11/20 阅读：384 关键词：SiC器件
ROHM集团Apollo筑后工厂将投建新厂房, 以强化SiC功率元器件的产能
球知名半导体制造商ROHM为加强需求日益扩大的SiC功率元器件的生产能力，决定在ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈县）的筑后工厂投建新厂房。 新厂房为地上3层建筑，总建筑面积约11,000㎡。现在，具体设计工作正在有条不紊地进行，预...
Microsemi 美高森美提供下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V肖特基势垒二极管器件
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号 宣布在下季初扩大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二极管产品组合,包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mO...
