一种新技术闪存芯片容量高达64GB晟碟推出

随着技术的成熟各个公司飞跃推出各种高端存储设备的。晟碟经过长期的研究，推出了一种新的先进闪存芯片生产技术，旨在进一步帮助芯片生产商提高利润。晟碟表示以第一时间向零售商供应采用这项名为X4的新技术的数据存储卡，这种存储卡包含...

新品速递 时间：2011/9/3 阅读：2124

意法半导体推出128Mb串行闪存芯片M25P128

意法半导体(ST)推出128Mb串行闪存芯片M25P128，主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码存储应用。这个128Mb的产品完善了ST现有的代码存储产品组合(从512Kb到64Mb)，同时据称是这个市场上同一密度级别的第一个串行闪

新品速递 时间：2007/12/19 阅读：3519

三星用30nm工艺研制64G闪存芯片

北京时间10月23日硅谷动力网站从国外媒体处获悉：全球闪存巨头韩国三星电子公司周二宣布，已经利用三十纳米半导体工艺制造出了64GB闪存芯片。这是全球第一块64GB的NAND闪存芯片。三星电子公司表示，他们利用三十纳米的最先进的半导体工艺...

新品速递 时间：2007/12/15 阅读：2049

三星开发出30纳米NAND闪存芯片 09年量产

CNET科技资讯网10月24日国际报道本周二，三星表示已经开发了一种更先进的闪存芯片。该芯片将能够提高MP3播放机等数码产品的存储容量。三星公布了采用30纳米工艺的64G位NAND闪存芯片。三星在一份声明中说，这种闪存芯片是提高闪存芯片存储...

新品速递 时间：2007/12/15 阅读：1734

比普通闪存快30倍 三星发布新型闪存芯片PRAM

据外电报道，三星电子公司周一发布了一种新型闪存芯片，据称这种新内存可更快储存新数据，从而可使数码设备工作更快。新产品属于阶段变化随机读取内存（PRAM)，芯片是非易失性的，这意味着这种内存即便在电子设备关闭时仍能保存数据。三...

新品速递 时间：2007/12/14 阅读：1829

ST推出128Mb串行闪存芯片 面向PC和消费电子应用

意法半导体推出了新的128Mb串行闪存芯片M25P128，新产品主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码存储应用。这个128Mb的产品完善了ST现有的代码存储产品组合(从512Kb到64Mb)，同时据称还是这个市场上同一密度级别的第一个

新品速递 时间：2007/12/12 阅读：2092

东芝16GB嵌入式NAND闪存芯片符合eMMC标准

东芝公司(ToshibaCorp.)近日与其美洲子公司东芝美国电子元件公司(ToshibaAmericaElectronicComponents,Inc.)联合宣布，该公司已经推广了一种新型嵌入式NAND闪存系列产品，这一系列产品遵从了eMMC标准

新品速递 时间：2007/12/12 阅读：2030