随着PFC拓扑中采用SiC 肖特基二极管，旁路二极管被用来限制通过 SiC 二极管的正向电流，以防浪涌电流影响电源干线。图 1 说明了旁路二极管通常如何在经典 PFC 中实现。仅当...
设计应用 时间：2025/1/16 阅读：936
为什么 SiC 功率芯片更小？ 功率芯片的大小直接由单位面积的导通电阻决定，而导通电阻主要由作为功能层的外延层的电阻主导。为了最小化器件的导通电阻，必须增加外延层...
设计应用 时间：2024/10/22 阅读：444
从理论上讲，碳化硅 (SiC) 技术比硅 (Si) 具有优势，这使得它看起来可以作为电力电子中现有 MOSFET 的直接替代品。这在一定程度上是正确的，但只要关注该技术与硅的不同之...
设计应用 时间：2024/6/19 阅读：500
本文将阐述系统能效的重要性，并简要说明 SiC 栅极驱动器的选择标准，包括 SiC 功耗、SiC 导通和关断基本原理以及如何减少开关损耗。此外，我们将介绍首款集成负偏压的 3.75 kV 栅极驱动器 NCP(V)51752。 能效提升，毫厘必争 当谈...
基础电子 时间：2024/5/29 阅读：295
在设计电源转换器时，碳化硅 (SiC)等宽带隙 (WBG) 技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V SiC MOSFET 的推出使其对于以前未考虑过的应用更具吸引力。 它们在高效硬...
设计应用 时间：2024/3/20 阅读：643
碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种广泛应用于高温、高压、高频电子器件和材料领域的化合物材料。它由硅和碳元素组成，具有许多优异的特性，包括： 高熔点和高热稳定性： 碳化硅具有非常高的熔点，能够在极高温度下保持稳定性，适...
基础电子 时间：2024/2/27 阅读：366
Microchip - 碳化硅电子熔丝演示器为设计人员提供电动汽车电路保护解决方案
早在十多年前，电动汽车就已经引入400V电池系统，现在我们看到行业正在向800V系统迁移，主要是为了支持直流快速充电。随着电压的提高和从400V系统中学到的经验教训，设计人...
技术方案 时间：2024/1/4 阅读：1115
Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 最近宣布推出采用新型表面贴装 TOLL 封装的 750V/5.4mΩ SiC FET，扩大了公司的性能领先地位，并扩大了其突破性...
设计应用 时间：2023/7/21 阅读：740
新型 MPLAB 碳化硅功率仿真器使客户能够在设计阶段测试 Microchip 的碳化硅功率解决方案
电力电子产品在日常生活的许多领域都在市场上迅速扩张。由于这种材料在速度、效率和耐高温性方面的出色性能，越来越多的电力电子设备使用SiC 半导体制造。电源设计人员大量...
技术方案 时间：2023/4/7 阅读：3905
人们普遍认识到，碳化硅（SiC）现在作为一种成熟的技术，在从瓦特到兆瓦功率范围的很多应用中改变了电力行业，覆盖工业、能源和汽车等众多领域。这主要是由于它比以前的硅...
设计应用 时间：2022/10/26 阅读：578
