200V-维库电子市场网

讨论几种设计故障容受型电源的方法，其中包括新的预稳压器拓扑结构，该结构可简化电路设计及元件选择。对抗相位故障如果交流电源到电表之间出现错误连接故障，或是...

设计应用时间：2022/5/27 阅读：178

UnitedSiC（现名Qorvo）推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET

Qorvo推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电...

新品速递时间：2022/5/12 阅读：397

ROHM面向车载系统开发出200V耐压肖特基势垒二极管“RBxx8BM/NS200”

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都），面向包括xEV在内的动力传动系统等车载系统，开发出200V耐压的超低IR※1肖特基势垒二极管※2（以下简称“SBD”）“RBxx8BM200”“RBxx8NS200”。　　ROHM面向车载系统开发出200V耐压肖特...

新品速递时间：2019/8/27 阅读：1529

ROHM开发出满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1）的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。该系列产品非常适用于电动压缩机※2）的逆变器电路和PTC加热器※3）的开关电路，而且传导损耗更低※4），...

新品速递时间：2019/5/13 阅读：906

Littelfuse在2018年APEC大会上推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET

电路保护领域的企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET，为其日益扩展的代电源半导体器件组合注入新鲜血液。 Littelfuse与Monolith在2015年结...

新品速递时间：2018/3/16 阅读：1234