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200V

200V资讯

基本半导体发布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

基本半导体1200V 碳化硅MOSFET采用4寸平面栅碳化硅工艺,结合元胞镇流电阻设计,开发出了短路耐受时间长,导通电阻小,阈值电压稳定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。 ...

分类:新品快报 时间:2019/1/14 阅读:554 关键词:半导体 

UnitedSiC推出1200V SiC FET,为IGBT、硅和SiC MOSFET用户提供业界最高性能升级途径

UJ3C1200系列是一种直接更换的解决方案,无需改变栅极驱动电压 功率因数校正(PFC)、主动前端整流器、LLC转换器和相移全桥转换器的设计人员现在可以通过使用来自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅(SiC )结型场效应晶体管(JFET)...

分类:新品快报 时间:2018/5/25 阅读:260

Littelfuse在2018年APEC大会上推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET

MathWrks 于今日推出了 Release 2018a (R2018a),其中包含一系列的 MATLAB 和 Simulink 新功能。 R2018a 包括两个新产品:用于设计和测试状态监控和预测性维护算法的 Predictive Maintenance Tlbx,集成了三维虚拟环境的车辆动态性能建模...

分类:新品快报 时间:2018/4/14 阅读:136

大联大品佳集团推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET

2018年4月10日,致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下品佳代理的英飞凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开...

分类:新品快报 时间:2018/4/11 阅读:296 关键词:大联大品佳集团 

Vishay推出13款200V到600VFRED Pt?超快恢复整流器

日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出13款200V到600VFREDPt?超快恢复整流器。均采用eSMP系列SlimDPAK(TO-252AE)封装。每种产品都有级和商用/工业级版本。VishaySemi...

分类:新品快报 时间:2017/11/13 阅读:318 关键词:Vishay 整流器 

Littelfuse新推新平台开发的首批产品1200V碳化硅肖特基二极管

Littelfuse, Inc.,作为全球电路保护领域的领先企业,今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管,以配合2017年欧洲电力转换与智能运动(PCIM)展的开幕。这种...

分类:新品快报 时间:2017/7/12 阅读:78 关键词:Littelfuse 二极管 

意法半导体推出最新的1200V碳化硅二极管,兼备出色的能效和先进的稳健性

2A - 40A 1200V(SiC) JBS (结势垒)二极管全系产品让更多的应用设备产品受益于碳化硅技术的高开关能效、快速恢复和稳定的温度特性。下面就随小编一起来了解一下相关内容吧。...

分类:新品快报 时间:2017/5/22 阅读:278 关键词:意法半导体 碳化硅二极管 

意法半导体推出最新的1200V碳化硅二极管

2A - 40A V(SiC) JBS (结势垒)二极管全系产品让更多的应用设备产品受益于碳化硅技术的高开关能效、快速复和稳定的温度特性。 意法的碳化硅制程可以制造出稳健...

分类:新品快报 时间:2017/5/18 阅读:348 关键词:半导体 二极管 

Diodes 公司有源OR’ing控制器提升最大电压至200V用于高可靠性电源系统

Diodes公司提供ZXGD3111N7有源OR’ingMOSFET控制器,瞄准使用冗余电源系统以实现高可靠性的电信、数据中心和服务器应用,提升最大200V的漏极电压性能。相比先前发布的40VZXGD3108N8,该最新器件增加了VDRAIN,能够

分类:名企新闻 时间:2016/9/18 阅读:99 关键词:Diodes 控制器 200V 

Fairchild - 针对高速光伏逆变器和苛刻工业应用发布1200V SiC二极管

全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild(NASDAQ:FCS)发布首个1200V碳化硅(SiC)二极管——FFSH40120ADN,纳入即将推出的SiC解决方案系列。1200V二极管凭借卓越的开关性能、更高的可靠性和较低的电磁干

分类:名企新闻 时间:2016/3/25 阅读:180 关键词:Fairchild 逆变器 

200V技术

Littelfuse在2018年APEC大会上推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET

全球电路保护领域的领先企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET,为其日益扩展的第一代电源半导体器件组合注入新鲜血液。 Littelfuse与Monoli...

新品速递 时间:2018/3/16 阅读:881

IR发布全新第八代1200V IGBT平台

全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出新一代绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术平台。全新第八代(Gen8)1200VIGBT平台适用...

新品速递 时间:2014/11/19 阅读:1008

IR全新1200V IGBT为电机驱动应用提升功率密度和效率

国际整流器公司(IR)推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列,针对工业电机驱动及不间断电源(UPS)应用进行了优化。全新器件采用IR的场截止沟道超薄...

新品速递 时间:2013/7/8 阅读:2558

新型1200V IGBT模块的高频开关应用

1引言如今节能的重要性日益显著,将IGBT模块用作开关器件的应用领域也不断拓展。为提高电能变换器的效率,研究者提出了很多新型拓扑电路,因而市场上对IGBT模块的需求也随...

设计应用 时间:2011/9/1 阅读:3911

浅谈VIPA 200V和ED200PA在钢叠装系数测试仪上的应用

一、简述叠装系数测试仪是在硅钢生产中必不可少的检测仪器,本装置主要用于硅钢片的叠装系数测定。本测试仪是在吸收国内外同类产品优点的基础之上,根据测试标准的实际要求,为精确测量硅钢片叠装系数而专门设计的最新产品。配合托料系统...

技术方案 时间:2011/8/31 阅读:1396

一种200V/100A VDMOS 器件开发

摘要:分析了功率MOSFET最大额定电流与导通电阻的关系,讨论了平面型中压大电流VDMOS器件设计中导通电阻、面积和开关损耗的折衷考虑,提出了圆弧形沟道布局以增大沟道宽度...

基础电子 时间:2011/2/22 阅读:2409

利用200V SOI工艺有效降低LED TV背光方案成本

CCFL和LED是当前LCD仅有的两种背光源,CCFL是传统的背光方式,而LED作为LCD背光的后起之秀,正在迅速抢占LCD背光市场。电视机厂商和面板厂商之所以积极推动LED背光液晶电视...

技术方案 时间:2011/2/12 阅读:2270

Infineon推出性能领先的200V和250V OptiMOS系列器件

英飞凌推出200V和250VOptiMOS系列器件,进一步扩大OptiMOS产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统、DC/DC变换器、不间断电源(UPS)和直流电机驱动。凭借同类器件中最...

新品速递 时间:2010/1/28 阅读:2513

意法半导体(ST)推出低损耗1200V IGBT系列产品

ST日前推出新系列功率晶体管,可最大限度降低电机控制电路的两大能耗源,降低家电、供暖通风空调(HVAC)系统、工业机床等日用设备对环境的影响。STGW30N120KD和STGW40N120KD是两款导通损耗很低的绝缘栅双极晶体管(IGBT),可降低

新品速递 时间:2009/10/21 阅读:2895

Vishay 推出采用 Int-A-Pak 封装且具有 75A~200A 高额定电流的新系列半桥 600V 及 1200V IGBT 模块

日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同IGBT技术。GA100TS60SFPbF和GA200HS60S1PbF采用标准穿通(PT)IGBT技术,而GA200TS60UPbF、GA75TS120UPbF及GA100TS120UPbF器

新品速递 时间:2008/8/29 阅读:2284

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