东芝于近期推出了四款电机驱动IC：TB67S569FTG、TB67S589FTG、TB67S589FNG和TB67H481FTG。其中，TB67S569FTG、TB67S589FTG和TB67H481FTG采用了小型VQFN32封装，可节省电路...
分类：业界动态 时间：2024/5/13 阅读：222 关键词：东芝
东芝推出带有嵌入式微控制器的SmartMCD 系列栅极驱动IC
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始批量出货带有嵌入式微控制器（MCU）的SmartMCD 系列栅极驱动IC[1]。首款产品“TB9M003FG”适用于汽车应用中使用...
分类：新品快报 时间：2024/3/29 阅读：353 关键词：栅极驱动IC
东芝首席执行官岛田太郎（如图）今天早些时候表示，自周三私有化以来，东芝最初的重点将放在 PMIC 上并赚取 10% 的营业利润。 “短期内，扩大功率半导体的销售是东芝应...
分类：名企新闻 时间：2023/12/25 阅读：248 关键词：东芝
据《朝日新闻》当地时间20日报道，日本东芝公司将于当天从东京证券交易所退市，结束自1949年以来74年的上市企业历史。 东芝2015年在被曝光会计造假丑闻后陷入财务危机，长...
分类：名企新闻 时间：2023/12/21 阅读：262 关键词：东芝
据一份向日本经济产业省（METI）递交的申请计划显示，东芝和罗姆将投资3800亿日元（约合27亿美元）共同生产功率芯片，其中日本经产省将提供最多的三分之一的补贴，即1200亿...
东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。该产品于今日开始支持批...
分类：新品快报 时间：2023/11/8 阅读：217 关键词：MOSFET
东芝推出了 200A 40V 0.66mΩmax 汽车级 n 沟道 MOSFET
采用 7 x 8.44 x 2.3mm 鸥翼封装，可处理 600A 脉冲。 采用 STOGL 封装的东芝汽车 MOSFET “转向、制动和自动驾驶系统等汽车安全关键应用通常需要比其他系统更多的设备来满足冗余要求。由于尺寸限制，这里需要具有高电流密度的功率...
分类：新品快报 时间：2023/10/25 阅读：236 关键词：东芝n 沟道MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用小巧纤薄的WSON4封装的光继电器“TLP3475W”。它可以降低高频信号中的插入损耗，并抑制功率衰减[1]，适用于...
分类：新品快报 时间：2023/10/18 阅读：266 关键词：继电器
退市后，东芝股票预计将在东京证券交易所 Prime 市场和名古屋证券交易所 Premier 市场上市。 退市后，东芝股票将不能在东京证券交易所主板市场和名古屋证券交易所主板市场...
分类：名企新闻 时间：2023/10/13 阅读：734 关键词：东芝
东芝公司表示，将从东京证券交易所退市，并结束长达74年的上市历史。3月份时就已启动的收购要约至此将成功画上句号。 由私募股权基金“日本产业合作伙伴”（JIP）牵头的...
分类：名企新闻 时间：2023/9/22 阅读：822 关键词：东芝
东芝发布了其 TCTH0xxxE 多点过温报警 IC 系列的承诺扩展。
东芝发布了其 TCTH0xxxE 多点过温报警 IC 系列的承诺扩展。 这些简单 IC（品牌为“Thermoflagger”）中的每一个都与一个或多个 PTC（正温度系数）热敏电阻配合使用，以检测 PCB 上的过温情况，例如，可能感测多个功率 MOSFET 的单独温...
全部 时间：2023/9/15 阅读：435
Toshiba - 东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正（PFC）电路[1]的650V分立IGBT---“GT30J65MRB”。该产品于今日开始支持批量出货。 功率半导体器件经过业界验证，对于节能工作...
新品速递 时间：2023/3/25 阅读：440
Toshiba - 东芝推出有助于减小贴装面积的智能功率器件
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出两款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”，用于可控制电机、螺线管、灯具和其他应用（如工业设备的可编程逻辑控制器）中使用的感性负载的驱动。高边开关（8通道）“TPD2015F...
新品速递 时间：2023/3/10 阅读：485
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)和东芝株式会社(Toshiba Corporation)（统称“东芝”）已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该晶体管将嵌入式肖特基...
新品速递 时间：2022/12/14 阅读：537
Toshiba东芝推出五款新型MOSFET栅极驱动IC，助力移动电子设备小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET栅极驱动IC产品中新增五款适用于可穿戴设备等移动电子设备的产品。该系列的新产品配备了过电压锁定功能，能根据输入电压控制外部MOSFET的栅极电压。新产品具...
新品速递 时间：2022/7/15 阅读：437
东芝推出用于IGBT／MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件于今日开始支持批量出货。 TLP5705H是东芝首款采用厚度...
新品速递 时间：2021/12/1 阅读：479
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，面向工业应用推出一款集成 开发的双通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模块---“MG800FXF2YMS3”，该产品将于2021年5月投入量产。 为达到175℃的通道温度，...
新品速递 时间：2021/5/18 阅读：878
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出由45款LDO稳压器组成的“TCR5RG”系列。该系列均采用轻薄、紧凑型WCSP4F封装。新款LDO稳压器拥有业界 的[1]高纹波抑制比[2]，能够为可穿戴产品等移动设备的直流电源线提供更稳...
新品速递 时间：2021/5/18 阅读：785
Toshiba东芝推出新型可重复使用的电子熔断器eFuse IC
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新型eFuse IC“TCKE712BNL”，进一步丰富了eFuse IC产品线。该产品可重复使用，具有保护电源线电路的功能。 玻璃管熔断器和贴片熔断器等传统物理熔断器在过流状态下物理切断...
新品速递 时间：2021/4/7 阅读：700
东芝推出超低电流消耗的CMOS运算放大器，可延长电池供电设备的工作时间
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，其产品线中新增了新型CMOS运算放大器“TC75S102F”，该产品拥有行业 的超低电流消耗。新产品将于今日开始出货。 运算放大器用于放大从传感器发出的微弱信号。为了延长物联网边...
新品速递 时间：2020/10/8 阅读：3355
