东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）扩大了产品线，推出12款双极晶体管产品，用于功率器件栅极驱动电路、消费电子和工业设备电流开关以及LED驱动电路。新品包括采用SC-62封装（东芝自称：PW-Mini）的"TTA011，TTA012，TTA013，TT...
时间：2023/4/17 阅读：87 关键词： 双极晶体管
功率半导体和管理方案厂商–国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列，针对工业电机驱动及不间断电源(UPS)应用进行了优化。全新器件采用IR的场截止沟道
分类：新品快报 时间：2013/6/17 阅读：407 关键词：晶体管
国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)推出全新的绝缘栅双极晶体管(IGBT)在线选择工具。该工具可有效优化多种应用设计，包括马达驱动、不间断电源系统(UPS)、太阳能逆变器和焊接。IR全新的IGBT在线选择工具能评
分类：新品快报 时间：2010/8/19 阅读：306
Diodes公司推出全新20VNPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计(5matrixemitterBipolarproces
近日，意法半导体（ST）推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管（IGBT），新系列产品采用高效的寿命控制工艺，有效降低关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT（包括STGxL6NC60D600VPowerMESH），用于工作频率超过20kHz
分类：新品快报 时间：2008/5/26 阅读：1250 关键词：晶体管
全球功率管理技术领导厂商——国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）推出600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列，能够在3kW的不断电系统(UPS)及太阳能转换器中，减少高达30%的功率损耗。该批新特定应用产品系
设计进步及封装技术的改进使开发优化的分立半导体器件成为可能，例如低饱和电压晶体管及超低正向压降肖特基整流二极管。此类新器件可满足当今电子产品在散热、效率、空间占用和成本方面的高要求，对于便携式电池供电设备（如笔记本电脑、...
恩智浦半导体发布了一代低VCEsat晶体管，与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS（小信号击穿）晶体管具有超低饱和电压（1安培时低于60毫瓦）、高电路效率和更低的能源消耗，并能减少便携式电池供电产品（如笔记本电脑、...
恩智浦半导体（由飞利浦创建的独立半导体公司）日前发布了一代低VCEsat晶体管，与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS（小信号击穿）晶体管具有超低饱和电压（1安培时低于60毫瓦）、高电路效率和更低的能源消耗，并能减...
仿真信号处理及功率管理方案供货商ZetexSemiconductors，日前推出一系列新型低电压双极晶体管。它们可扩大SOT23封装的电流处理效能，可取代体积更大的等效SOT89和SOT223零件，有助设计人员缩减产品尺寸。Zetex善用了其先进的
双极晶体管的静态工作特性是指它在特定接法中的输入特性，输出特性和电流增益特性。 一个晶体管共基极，共发射极和共继点击三种接法，因而有三组工作热性曲线来完整地描...
基础电子 时间：2017/9/7 阅读：2080
横跨多重电子应用领域、的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics,简称ST） 在最近召开的巴黎核能与太空辐射效应大会（NSREC, Nuclear and Space Radiation Effects C...
新品速递 时间：2014/8/19 阅读：1121
导读：日前，意法半导体（ST）发布能够提供双极晶体管的成本优势和硅面积使用效率的3STL2540,同时兼具同级MOSFET的能效。 意法半导体（ST）的3STL2540提供双极晶体...
新品速递 时间：2013/10/17 阅读：3020
对于要使用互补双极晶体管的电路设计，有时候需要筛选出与直流增益（β）相匹配的NPN和PNP晶体管。这样一种要求匹配的电路例子是放大器的输出级。图1中的电路给出了一种简...
技术方案 时间：2013/5/8 阅读：1570
摘 要： 功率双极晶体管的损耗是开关电源总损耗中的最多的器件之一， 采用10M eV电子辐照来降低功率双极晶体管的下降延时， 以此来降低功率双极晶体管的关断损耗。在一个典...
设计应用 时间：2011/10/26 阅读：5541
简介 双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度快，但输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗...
其它 时间：2011/8/27 阅读：1408
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺...
新品速递 时间：2010/7/21 阅读：3615
Diodes公司推出全新20VNPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计(5matrixemitterBipolarproces
新品速递 时间：2010/7/20 阅读：2971
1.IGBT模块的选择在使用IGBT模块的场合，选择何种电压，电流规格的IGBT模块，需要做周密的考虑。a.电流规格IGBT模块的集电极电流增大时，VCE(-)上升，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，原件发热加剧。因此，根据额定损耗，开...
基础电子 时间：2008/10/20 阅读：1937
IGBT（IsolateGateBipolarTransistor）是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管工作电压高、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几kHz
基础电子 时间：2008/10/20 阅读：8040
