ST - 意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效
意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。 新推出的 STPOWER IH2系列IGBT还提高了功率转换能效，相关...
时间：2024/1/17 阅读：38 关键词：IGBT晶体管
Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比
氮化镓功率半导体产品的全球领先企业 Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今日发布了题为『Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭) d-mode氮化镓平台固有的优势。重要的是，该文章还...
时间：2023/10/31 阅读：56 关键词：电子
今天，Apple 正式发布了 M3、M3 Pro 和 M3 Max。这三款芯片采用突破性技术，可显著提高 Mac 的性能并释放新功能。这些是首款采用业界领先的 3 纳米工艺技术制造的个人计算...
分类：业界动态 时间：2023/10/31 阅读：352 关键词：M3芯片
意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性...
分类：新品快报 时间：2023/9/12 阅读：281 关键词：IGBT晶体管
Navitas 最近推出了具有单片集成栅极驱动器的第四代 GaN 功率晶体管
该公司以 GaNsafe 为品牌，增强了与驱动器集成的保护功能，并采用 10 x 10mm TOLL 封装，并采用定制内部引线框架（下图）。 初始产品的额定电压为 650V（800V 瞬态），...
分类：新品快报 时间：2023/9/11 阅读：491 关键词：MPU
根据天眼查显示华为技术有限公司近日新增多条专利信息，其中一条发明专利名称为“一种集成电路及其制作方法、场效应晶体管”，公开号为CN116636017A。 专利摘要显示，...
EPC7001具有4mΩ导通电阻、60A（250A 300μs脉冲25°C）容量，占用面积7mm 2 EPC7002 开启至 14.5mΩ，可通过其 1.87mm 2占位面积处理 10A（62A 300μs 脉冲 25°C） ...
分类：新品快报 时间：2023/7/21 阅读：404 关键词： GaN 功率晶体管
ISAHAYA 谏早电子 可不使用IC构成电池电压监视电路! 齐纳二极管和晶体管的复合元件！
半导体制造商谏早电子开发出异质晶体管“RTEXXXXM”。 本系列为内装2元件型, 除了可作出小型化, 使用方法也可以有电压检测, 保护用等等多种用途, 也齐集丰富的产品种类。 本产品无需使用IC即可构成电池电压监视电路，是一款有助于...
时间：2023/7/10 阅读：225 关键词： 齐纳二极管
伍尔特电子进一步扩充其 WL-OCPT 光电耦合器产品系列，新增了DIP-8封装。双通道-八引脚的光电耦合器光敏电阻现可提供。这种设计在一个元件内包含两个电路，分别由两个输入L...
分类：新品快报 时间：2023/7/5 阅读：440 关键词：光电晶体管
晶体管是一种半导体器件，用于放大电信号、作为开关以及其他电路应用。晶体管有多种类型，包括晶体管的主要种类如下： 双极型晶体管（双极型BJT晶体管）： 双极型晶体管具有三个区域：发射极、基极和集电极。根据控制方式的不同，双极...
基础电子 时间：2024/3/15 阅读：840
半导体生产厂的谏早电子开发出成对晶体管「RT3A66M」、「RT3C66M」。 本产品的封装内, 装有两个相等hFE值的元件。因此, 温度变化已做成的电流值差距会变小。令差分放大电路、电流镜电路也可以适用。 内部线路图 特点 hFE1（T...
新品速递 时间：2024/3/5 阅读：1188
了解场效应晶体管的原理和操作。 晶体管是当今电子电路中必不可少的半导体器件。它们可以执行两个主要功能。首先，作为它们的真空管前身，三极管，它们可以放大电信号。...
设计应用 时间：2024/2/26 阅读：270
关于PNP晶体管特定情况下电流和电压符号的约定，让我们看一下图 1 所示的图表。 图 1：共基极配置的PNP晶体管 传统上，假设I E > 0，我们必然有I C、 I B <...
设计应用 时间：2024/1/24 阅读：1405
从晶体管的物理结构出发，考虑发射结和集电结电容的影响，就可以得到在高频信号作用下的物理模型，称为混合π模型。由于晶体管的混合π模型与第2章所介绍的 h参数等效模型...
设计应用 时间：2024/1/24 阅读：766
晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电，故称之为双极型晶体管(BJΓ),又称半导体三极管，以下简称晶体管。 图1.3.1所示为晶体管的几种常见外形。 图(a...
设计应用 时间：2024/1/12 阅读：1051
晶体管类型及结构 1.3.1 晶体管的结构及类型 根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成晶体管。采用平面工艺制成的 NPN型硅材料...
设计应用 时间：2024/1/5 阅读：1013
GaN 功率晶体管的“电流崩溃”行为 虽然 GaN 功率晶体管因其低能量损耗和高功率密度能力而在电力电子应用中变得越来越流行，但设计工程师仍然对其可靠性存在一些担忧。G...
设计应用 时间：2023/12/28 阅读：1145
处理传感器电路输出信号的电路或计算公式必须生成传感器响应的反函数。例如，如果传感器响应是对数函数，则线性化部分的响应必须是指数的。 这项工作首先获取传感器响应...
设计应用 时间：2023/12/19 阅读：389
如果我们尝试将pn结焊接到np结，我们会得到如图 1 所示的器件，其中字母 E、B 和 C 分别表示发射极、基极和集电极。这些是分配给三个区域p、n、p的名称。 这样我们就创...
设计应用 时间：2023/11/27 阅读：489
