Navitas 近推出了具有单片集成栅极驱动器的第四代 GaN 功率晶体管

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2023-09-11 11:37:11 | 572 次阅读

    该公司以 GaNsafe 为品牌,增强了与驱动器集成的保护功能,并采用 10 x 10mm TOLL 封装,并采用定制内部引线框架(下图)。

    初始产品的额定电压为 650V(800V 瞬态),涵盖 35 至 98mΩ 的 Rds(on)(下表),针对 1 至 22kW 的应用。预计开关频率高达 2MHz。
    集成保护包括短路、过温、欠压锁定、20V 输入和 2kV HBM ESD(HBM、1kV CDM)。短路保护被描述为“50ns”和“300ns 去饱和”–迄今为止,仅提供了四种初始设备的部分细节。纳维表示,它们现在正在提供样品,但仅限于“合格的客户”。
    除此之外,开和关 dV/dt 现在由驱动器控制 - 在初的四引脚器件中内部设置,但被描述为“可编程”。

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