SI7913DN-T1-GE3
Vishay
QFN
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
企业名:深圳市安桐派科技有限公司
类型:经销商
电话: 0755-82533147
手机:13760331317
联系人:洪R
邮箱:anaogie@atpchip.com
地址:广东深圳深圳市福田区深南路国际科技大厦2206
制造商零件编号: SI7913DN-T1-GE3
制造商: Vishay / Siliconix
Vishay / Siliconix
说明: MOSFET Dual P-Ch 20V 37mohm @ 4.5V
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
商标: Vishay / Siliconix
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 20 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 8 V
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 37 mOhms
配置: Dual
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK 1212-8
封装: Reel
通道模式: Enhancement
下降时间: 70 ns
工作温度: - 55 C
上升时间: 70 ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 72 ns
零件号别名: SI7913DN-GE3
企业名:深圳市安桐派科技有限公司
类型:经销商
电话: 0755-82533147
手机:13760331317
联系人:洪R
邮箱:anaogie@atpchip.com
地址:广东深圳深圳市福田区深南路国际科技大厦2206