制造商: Toshiba

产品型号：K10A60D

产品种类: MOSFETs - Power & Small Signal

RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 600 V
Id - Continuous Drain Current: 10 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 750 mOhms
配置: Single
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
Qg - Gate Charge: 25 nC
Pd - Power Dissipation: 45 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3 FP
商标: Toshiba
下降时间: 100 ns
上升时间: 55 ns
工厂包装数量: 2500

典型关闭延迟时间: 15 ns

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