mos管AO4405

系列：AO

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A（Ta）

驱动电压（RdsOn，RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（值）：2.4V @ 250μA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（值）：11nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（值）：520pF @ 15V

Vgs（值）：±20V

功率耗散（值）：3.1W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（值）：50 毫欧 @ 6A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC

封装形式Package：SOIC

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：6A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

企业名：深圳市灿裕盛电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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