用途 *用於高壓、*開關應用 ■特征: *低正向壓降 *較小的總電容 *用於片式封裝 *較短的反向恢複時間 **圖形數 90000 只左右 芯片尺寸：280μm×280μm 壓焊區尺寸：φ120μm 芯片厚度：180&plu*n;10μm 锯片槽宽度：40μm 金屬層：正面:Al 2.3&plu*n;10μm，背面:Au 1.4&plu*n;10μm 電特性(Ta=25℃) 參 數 名 稱 * 號 測 試 條 件 * 小 * 大 典型值 單位 反向電壓 VR IR=0.1mA 80 130 V 正向壓降 VF（1） IF=10mA 1.0 0.67 V VF（2） IF=100mA 1.2 0.92 V 反向漏電流 IR（1） VR=20V 25 nA IR（2） VR=75V 1 μA 總電容 * VR=0, f=1MHZ 3.0 2.0 PF 反向恢複時間 trr IF=IR=10mA Irr=0.1×IR 4.0 ns

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