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NTR1P02LT1G封装SOT-23-3场效应管原装现货

NTR1P02LT1G封装SOT-23-3场效应管原装现货
NTR1P02LT1G封装SOT-23-3场效应管原装现货
  • 型号/规格:

    NTR1P02LT1G

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    SOT-23-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

VIP会员 第 4
  • 企业名:深圳市三禾民有电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-82737961
    0755-83177879

    手机:13699895474
    13632724767

    联系人:苏先生/蔡小姐

    QQ: QQ:3005465392QQ:3005321723

    微信:

    邮箱:caiqiongling@lantianguoji.cn

    地址:广东深圳福田区华强北街道华航社区振兴路101号华发大院1栋、2栋2栋210

商品信息


产品编号:NTR1P02LT1G

描述:表面贴装型 P 通道 20 V 1.3A(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)

产品属性NTR1P02LT1G
类型
描述NTR1P02LT1G
选择 
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.3A(Ta)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
220 毫欧 @ 750mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
1.25V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
5.5 nC @ 4 V
Vgs(大值)
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
225 pF @ 5 V
FET 功能
-
功率耗散(大值)
400mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3










联系方式

企业名:深圳市三禾民有电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-82737961
0755-83177879

手机:13699895474
13632724767

联系人:苏先生/蔡小姐

QQ: QQ:3005465392QQ:3005321723

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邮箱:caiqiongling@lantianguoji.cn

地址:广东深圳福田区华强北街道华航社区振兴路101号华发大院1栋、2栋2栋210

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