制造商: IR
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息  
技术: Si 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-220-3 
通道数量: 2 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 150 V 
Id-连续漏极电流: 8.7 A 
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 
Qg-栅极电荷: 13 nC 
工作温度: - 40 C 
配置: Half-Bridge 
通道模式: Enhancement 
封装: Tube 
高度: 15.65 mm  
长度: 10 mm  
晶体管类型: 2 N-Channel  
宽度: 4.4 mm  
商标: Infineon Technologies  
下降时间: 3.1 ns  
Pd-功率耗散: 18 W  
上升时间: 6.6 ns  
工厂包装数量: 1000  
典型关闭延迟时间: 13 ns  
典型接通延迟时间: 7 ns  
零件号别名: SP  
单位重量: 6 g

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