DMC3032LSD-13
DIODES
SOP8
17+
1
企业名:深圳市天卓伟业电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-83290789
手机:13528438344
联系人:陈丹丹
微信:
邮箱:3004217962@qq.com
地址:广东深圳广东深圳深圳市福田区华强广场A座16E
∟ 其他IC(279)
DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 8.1 A, 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 32 Ohms, 39 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 9.2 nC, 21.1 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
产品: MOSFET Small Signal
系列: DMC3032
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 2.84 ns, 22.2 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 6.18 ns, 6.5 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 13.92 ns, 50.1 ns
典型接通延迟时间: 3.4 ns, 10.1 ns
单位重量: 74 mg
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 8.1 A, 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 32 Ohms, 39 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 9.2 nC, 21.1 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
产品: MOSFET Small Signal
系列: DMC3032
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 2.84 ns, 22.2 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 6.18 ns, 6.5 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 13.92 ns, 50.1 ns
典型接通延迟时间: 3.4 ns, 10.1 ns
单位重量: 74 mg
企业名:深圳市天卓伟业电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-83290789
手机:13528438344
联系人:陈丹丹
微信:
邮箱:3004217962@qq.com
地址:广东深圳广东深圳深圳市福田区华强广场A座16E